This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] BQ34110:bqStudio 在数据存储器中全部写入尝试时返回"无参数匹配的地址&quot

Guru**** 2578735 points
Other Parts Discussed in Thread: BQSTUDIO, BQ34110, BQ34Z100

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1214841/bq34110-bqstudio-returns-no-parameter-matched-address-on-write-all-attempt-in-data-memory

器件型号:BQ34110
主题中讨论的其他器件:BQSTUDIO、、、 BQ34Z100

我们使用的是 bq Studio 1.3.111.1、这是最新的公开可用的 bqStudio 的"测试"版本。

我们可以顺利读取 bq34110的数据存储器、并且逐个编辑各个字段也可以。 但是、如果尝试"始终写入"、则会导致"无参数匹配地址"

我们甚至可以读取所有 常用 bq34110配置、并立即试用并全部写入、但失败时会出现相同的错误。 这意味着我们的价值观并无任何错误。

根据过去10年的经验、这通常是 bqz 文件中出现的配置错误、我们通常需要 TI 来纠正

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    没关系、自从我在许多 TI 监测计之间切换后、我就跳闸了。

    测量仪表尚未配置外部分压器、因此它拒绝写入、因为闪存更新正常电压。 我使用校准模式切换功能来写入所有数据。

    我想奇怪的是、错误消息是完全没有意义的。 通常情况下、至少对于 bq34z100监测计而言、误差与读取验证比较失败的情况大致相同。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

      感谢您告诉我们、是的、应该更改闪存更新正常电压、以便以下写入闪存的操作成功、从 gg 文件导入数据时还需要保留校准数据