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[参考译文] LM5158-Q1：快速温升

admin
Guru**** 2390755 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5157, LM5158-Q1, LM5157EVM-SEPIC, LM5158

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1212162/lm5158-q1-fast-temperature-rise

器件型号：LM5158-Q1
主题中讨论的其他器件： LM5157EVM-SEPIC、 LM5158、LM5157

大家好、我们将尝试在 SEPIC 拓扑中使用 LM5158-Q1、以实现最大1A 的25V 输出。 我们构建了一个原型并在半安负载下进行了测试、并且看到了非常快速且很大的温升。 此芯片在大约1分钟内升温超过75°C、而消耗此12.5W 功率。

 

我们将其与 LM5157EVM-SEPIC 评估板进行比较、发现在大约15分钟后 、在12V、1A 负载下、温度仍然仅为41.1°C、因此耗散了近12.5W。

我知道这些不是完全相同的部分、但它们是相似的、并且评估板的用户手册说它可用于评估 LM5158-Q1、所以我认为它是相似的。

您 对为什么会发生这种情况有任何建议吗？

谢谢

  • 0
    TI__Guru**** 2390755 points
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    您好 Garrett：

    LM5158的驱动器由于可处理的电压较高、因此其速度较慢、因此 IC 内部的功耗高于 LM5157中的功耗。

    此致、
    布里吉特

  • 0
    TI__Guru**** 2390755 points
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    尊敬的 Brigitte：

     LM5158是否 可以在不进行任何其他修改的情况下放入评估板、以便我可以进行直接比较？ 评估板使用 LM5157时的温度与我的设计中的温度之间的差异非常大、所以 我想判断我是否可以进行其他改进。

    谢谢

    加勒特

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    TI__Guru**** 2390755 points
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    您好 Garrett：

    是的、您可以将 LM5158放入 LM5157 EVM、而无需进行任何更改。

    此致、
    布里吉特

  • 0
    TI__Guru**** 2390755 points
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    在测试时、我尝试使用我在设计中使用的评估板上的 C8代替评估板上的 C8。 该值为0.1uF、这是快速入门手册显示的最小值。 这导致温度升高了12度、时间缩短了一半。   这里使用更大的电容作为发热源是否更好、或者这更有可能是电容器的 IRMS 额定值的问题？

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    TI__Guru**** 2390755 points
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    您好 Garrett：

    请注意、如果大多数陶瓷电容器上存在直流电压、则其电容会松动。 因此、您应使用高于最小建议值的陶瓷电容器、因为此情况下的计算结果是理想的。

    此外、电容的纹波电流额定值也可能会影响这一点、如果电容上存在大量纹波电流、如果该值很低、则整个系统中会有更多纹波电流、从而导致更多损耗。

    因此、是的、最好具有更高的传输电容。

    此致、
    布里吉特

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    TI__Guru**** 2390755 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    现在、我的电路板和评估电路板上有许多相同的部件。 它是在我的电路板上工作得好的东西和在评估电路板上工作得更好的东西的组合。 我将使用相同的芯片(LM5158-Q1)、相同的输入电容、输出电容、交流耦合电容和二极管。 相同的输入和输出电压以及相同的负载。 在大约20分钟后、我仍然看到温度的35°C 差异。 这意味着一个布局问题、对吗？ 只是想确保大家在选择器件时没有任何其他散热建议。

    谢谢

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    TI__Guru**** 2390755 points
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    您好 Garrett：

    电路板的温度高于 EVM 温度、对吧？

    这意味着布局差异。 例如、您可能具有不同的覆铜厚度或顶部的覆铜较少、或者散热焊盘上的散热过孔较少。

    此致、
    布里吉特

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    TI__Guru**** 2390755 points
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    好的，谢谢！ 这正是我所认为的、但我想确保的。

    谢谢

    加勒特