[参考译文] TPS43061：推荐使用的 FET

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Other Parts Discussed in Thread: CSD86330Q3D, CSD87333Q3D, CSD87334Q3D, CSD87330Q3D

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1213167/tps43061-recommended-fet

器件型号：TPS43061
主题中讨论的其他器件：CSD87330Q3D、CSD86330Q3D 、CSD87333Q3D 、CSD87334Q3D

大家好、

我的客户正在考虑使用此器件、并且想知道针对外部 FET (QL)的建议

[客户的用例]

输入电压：12V

输出电压：24V

输出电流：5A

该 EVM 中针对 FET 使用了 CSD86330Q3D。这是否仍是建议？还是 CSD87330Q3D、较新版本？

此致、

大桥

2 年多前

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2331900 points

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尊敬的 Ohashi：

一般而言、我们建议使用最新可用的元件。我会将您的问题转交给负责 FET 的团队、因为我不知道这些问题之间的详细差异。

此致、
布里吉特

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2331900 points

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您好：大桥三、

谢谢咨询。对于24V 输出、我强烈建议使用30V 电源块器件、而不是25V 器件。我们有许多采用3.3x3.3mm SON 封装的产品。 CSD87334Q3D 应具有最低的功率损耗、因为 FET 对称(芯片尺寸和导通电阻相同)、并针对升压转换器等更高占空比运行进行了优化。 CSD87333Q3D 的成本最低、但功率损耗会更高。它还具有对称的 FET、但导通电阻更高。最后、CSD87330Q3D 具有非对称(较大的低侧/较小的高侧) FET、预测的性能和成本位于其他两个30V 电源块之间。我们有一个基于 Excel 的同步升压 FET 选择工具、可以通过下面的链接获得。它允许用户输入其要求并比较多达3个不同的 TI FET 解决方案(分立式或电源块)。我填写了随附的电子表格、并使用它提出这些建议。如果您有任何问题、敬请告知。

https://www.ti.com/tool/SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC

此致、

约翰·华莱士

TI FET 应用

e2e.ti.com/.../SYNC_2D00_BOOST_2D00_FET_2D00_LOSS_2D00_CALC_5F00_Rev1_5F00_Ohashi.xlsm

电源管理（参考译文帖）

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