[参考译文] CSD19502Q5B：流经体二极管的最大电流

您好 JIJESH：

感谢您关注 TI FET。 理论上、体二极管的额定电流与 FET 相同。 但是、无论电流在 FET 导通时流经通道、还是在 FET 关断时沿反向流经体二极管、最大功率损耗限制都相同。 MOSFET 数据表中的最大电流和功率额定值是按照以下链接中博客所述计算的值。 要计算流经体二极管的最大电流、可使导通损耗 I² x RDS (on)= I x VSD 相等。 例如、数据表中在 TA = 25°C 时的最大功率耗散计算如下：

PDmax =(TJmax - TA)/IDmax =(150°C - 25°C)/IDmax = 3.125W 且40°C/W 150°C =√(PDmax/RDS (on) max)=√VGS (在 TJ = RθJA & 7.9mΩ= 10V 时)= 19.9A (数据表规格为17A、这可能是拼写错误)。

而 Isdmax = PDmax/Vsd = 3.125W/0.66V (在 TC = 125°C 和 ISD = 19A 时)= 4.7A

https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/posts/understanding-mosfet-data-sheets-part-3

如果环境温度高于25°C、则此值应降低、如果 RθJA 降低、则此值可能会升高。 如果您有任何问题、敬请告知。

此致、

约翰·华莱士

TI FET 应用

尊敬的 JIJESH：

请参阅数据表第6页的图9。 这是 ISD 与 VSD I 之间的关系图、会上拉了在产品开发过程中收集的特性数据、用于生成这些图、以便更好地估算特定电流下的体二极管正向电压。 如果您有任何其他问题、敬请告知。

此致、

约翰

您好、John：

明白了。 感谢您的提示帮助。