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器件型号：TPS51200-Q1 主题中讨论的其他器件： TPS51200
您好、团队成员：
我的客户正在评估适用于 DDR 的 TPS51200-Q1、有如下问题：
1.如何独立判断灌电流和拉电流?
谢谢。
兰溪市
您好、团队成员：
我的客户正在评估适用于 DDR 的 TPS51200-Q1、有如下问题：
1.如何独立判断灌电流和拉电流?
谢谢。
兰溪市
兰溪、您好！
1. 在 此处的 EVM 指南的第12页第5.4.2节中、提供了有关如何测试 LP DDR3受电/受电瞬态的说明。 为了再现类似情况、您可以使用低值高功率电阻器将更高电平的电压源连接到 VTT。 如果您想使用0V6 VTT 和1V2 VLDOIN 灌入1A 电流、可以通过两个并联的1.2欧姆1W 电阻器将 VLDOIN 连接到 VTT。 电阻器上的大压降使得这些电阻器具有高额定功率非常重要、 因此建议使用 并联电阻器。
2.当 TPS51200用作接收装置时、输出电压应该会升高、具体取决于输出电流 、数据表见第7-9页"典型特性"部分的"典型特性"部分。
3.是的。 输出电压 VO 由 REFOUT 引脚进行调节。
谢谢。
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