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[参考译文] LM34936EVM:D1和 D2的优势

Guru**** 2390730 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1212142/lm34936evm-benefits-of-d1-and-d2

器件型号:LM34936EVM

尊敬的支持团队:

D1和 D2是否也位于电流 EVM 中?
D1和 D2有哪些优势?

此致、
DICE-K

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    您好、Dice-K:

    D1和 D2位于 EVM 的背面并已组装。 这些与 MOSFET 的反向栅极二极管并联、并且在死区时间内接收流经 MOSFET 的电流。 如果选择正确、它们可以减少 MOSFET 中的损耗并提高效率。

    此致、
    布里吉特

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    尊敬的 Brigitte:
    感谢您的答复。

    看看"原来的问题"、我觉得 D1和 D2的效果不是很高。
    是否推荐 installig D1和 D2?
    数据表中没有描述设计方法、我不知道需要哪种二极管。
    需要20V 或60V 耐受电压?
    我们在以下条件下使用它。

    输入电压:10~17V
    输出电压:12V
    IOUT:3~4A

    此致、
    DICE-K

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    您好、Dice-K:

    没错、这些二极管的影响很可能比选择正确的 MOSFET 小得多。 因此我不会一般安装它们、但如果性能极其重要、我会将它们放置在 PCB 上并使用标准封装。 额定电压和电流需要与 MOSFET 相同。

    此致、
    布里吉特