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[参考译文] LM61460-Q1:不同篡改中的 IC 效率

Guru**** 2535750 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1209934/lm61460-q1-ic-efficiency-in-different-tamb

器件型号:LM61460-Q1

大家好、

在标题中、我们是否介绍了 不同 TMB 的 IC 效率。 例如、我们假设条件是12Vin、5Vout 和3AIout。 并且我们忽略 LC 滤波器的功率损耗。  

我们是否有不同温度下 IC 的效率图? 我使用 webench 进行仿真、但使用 Tamb = 25°C 和75°C 时结果相同。

此致、

罗伊

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Roy:

    不幸的是、唯一的其他可用数据是数据表中的效率图、 它们都是在室温下测得的。  

    不过、已知在较高的环境温度下、MOSFET 导通损耗将会较高、您可以根据这一情况计算新的预期效率。

    在本例中、您可以使用最大 Rdson 值计算新效率、而不使用典型 Rdson 值。  

    此致、

    吉米