[参考译文] 打开/关闭 RF MMIC

尊敬的 Shreyas：

感谢您为栅极驱动器产品系列提供链接！

伊格纳西奥、您好！

您能否分享有关该应用的更多详细信息？ 您期望的最大总线电压是多少？ 这是基于 Si、SiC 或 GaN 的电源器件吗？ 通过 Shreyas 分享的链接查看我们的栅极驱动器产品系列、如果您对我们的其中一款驱动器有任何疑问、欢迎随时在 E2E 上发布另一个问题。

此致！

亚历克斯·韦弗

尊敬的 Shreyas 和 Ignacio：

他们是否可以使用简单的3.5A 分立式 MOSFET 实现该功能？ 您可以将24V 连接到高侧、然后使用分立式 FET 连接和断开接地。

栅极驱动器将无法连续导通3.5A 电流。 如果逻辑信号不够强、可以使用一个来帮助驱动分立式 FET。  

此致、

肖恩

您好！

感谢您的答复。

最大电源电压为+24V、逻辑信号为0/5V。 电源 MMIC 是 GaN

我一直在检查栅极驱动器、但 我不知道如何使用它们。 您能否推荐一个基准和一个可能的电路？

此致、

伊格纳西奥

Sean、您好！

感谢您的答复。 您能推荐我一个电路来用这种方式实现吗？

谢谢

伊格纳西奥您好！

谢谢咨询。 是 FET 产品线的应用工程师。 我认为您可以使用功率 MOSFET 来控制射频 MMIC。 最简单的实现方法是将 N 沟道 FET 用作低侧开关(即源极接地和漏极连接到 MMIC 的接地引脚)并使用5V 逻辑信号直接驱动栅极。 还可以采用高侧开关配置(即连接到24V 电源电压的漏极和连接到 MMIC 上输入电压引脚的源极)。 但是、栅极不能由5V 逻辑信号直接驱动、因为栅极驱动电压需要比24V 电源电压至少高5V 才能导通 FET。 对于高侧开关实现、您需要提供单独的栅极驱动电压、或使用 LM5060或 LM5069等高侧开关控制器来驱动 FET 的栅极。 这些控制器有一个集成的电荷泵和一个使能引脚、但是具有有限的驱动电流、并且我不确定打开时间是否会< 10μs。 如果可以、请告诉我进一步的帮助。

此致、

约翰·华莱士

TI FET 应用

伊格纳西奥、您好！

跟进以查看您的问题是否已解决。 请联系我们。

谢谢。

约翰