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[参考译文] TPS74801-Q1：适用于理想二极管控制器的电荷泵和升压解决方案

admin
Guru**** 2563960 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS74801-Q1, LM7480-Q1

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1209293/tps74801-q1-charge-pump-and-boost-solution-for-ideal-diode-controller

器件型号：TPS74801-Q1
主题中讨论的其他器件： LM7480-Q1

您好、专家：

我的客户告诉我、在市场上有两种类型的电荷泵解决方案。

您是否愿意向我介绍一下它们之间的差异？

此外、我们是否有用于 Vpp=6V delt V=(+-) 3V 的二极管控制器？

感谢您的热情帮助！

此致

伊梅尔达

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    TI__Guru**** 2563960 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Imelda：  

    感谢您与我们联系。  

    TPS74801-Q1没有电荷泵。 这是否与 TPS748-Q1相关？ 如果没有、我会将您重定向到正确的组。  

    此致！  

    埃德加·阿科斯塔

  • 0
    TI__Guru**** 2563960 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Imelda：  

    您指的似乎是 LM74801-Q1。

    我们的理想二极管控制器可驱动外部 N 沟道 MOSFET 来仿真二极管功能以及负载路径开/关控制、OV 保护等其他功能。 要驱动 NFET、您需要一个高于输入电压的电压。  

    LM7480-Q1系列器件使用内部电荷泵产生 驱动 外部 N 沟道 MOSFET 所需的更高电压。 基于电荷泵的解决方案的优势是、它易于实现、并且仅需要一个外部电荷泵电容器即可实现其功能。

    LM7472x-Q1系列器件具有集成式升压转换器、 可产生 驱动 外部 N 沟道 MOSFET 所需的更高电压。  基于升压的解决方案的优点是它具有非常低的静态电流(因为  与电荷泵相比、其效率更高)。  集成升压转换器运行需要一个额外的外部电感器。  

     LM7480-Q1和 LM7472x-Q1都具有类似的 功能、可在输入电压= 6V +/- 3V 的情况下运行。  更多信息请参阅器件数据表。