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[参考译文] LM7480-Q1：具有背对背 FET 的理想二极管

admin
Guru**** 2551300 points
Other Parts Discussed in Thread: LM7480-Q1

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1209422/lm7480-q1-ideal-diode-with-back-to-back-fets

器件型号：LM7480-Q1

大家好、我想将 LM7480-Q1用作理想的二极管设置、使用背对背 FET 提供过压保护。 这是器件的有效配置吗？

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    TI__Guru**** 2551300 points
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    尊敬的 Alex：

    由于您对背对背配置感兴趣、因此我假设您正在寻找电源之间的优先级电源多路复用。    有关 优先级电源多路复用器配置、请查看 www.ti.com/.../slvaes2.pdf 中的图15。

    此致、

    勒凯什

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    TI__Guru**** 2551300 points
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    谢谢 Rakesh。 实际上、我不需要优先级多路复用。 这是为了替代具有优先级的 LTC4417。 我想让它实现理想的二极管负载共享。 从我读取数据表可以看出、这应该起作用。 其中 DGATE FET 具有理想的二极管功能、HGATE FET 具有过压保护。

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    TI__Guru**** 2551300 points
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    是的 Alex。 您发送的配置将适用于在每条路径中具有过压保护的 ORing、但路径之间的负载共享由电源之间的电压差决定。

    此致、

    勒凯什

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    TI__Guru**** 2551300 points
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    感谢确认。