This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] UCD90120:无法解锁 UCD90120RGCR 中的闪存

Guru**** 2386610 points
Other Parts Discussed in Thread: UCD90120
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1204843/ucd90120-unable-to-unlock-flash-in-ucd90120rgcr

器件型号:UCD90120

我叫 Vigita S.、是 BPM Microsystems 的器件支持工程师。

我目前正在研发器件 UCD90120RGCR。 我可以使用命令 FDh 读取器件。  

从 "UCD Devices.pdf"的配置编程中、我了解到在对数据闪存区域进行编程之前、我们需要解锁闪存并将其擦除。 我从上面提到的 pdf 中获取的命令为 BlockWrite、0x7E、0xE2、0x050400000104、后跟 BlockWrite、0x7E、0xE30x0400008820

但在发送"0x0400008820"后、我在发送最后一个字节20h 后未收到器件的确认。
 
由于我没有从器件获得 ACK、因此我需要知道我是否使用正确的命令序列来解锁器件。
 
请就此提供建议。
 
同时、请为我提供此器件"UCD90120RGCR"的最新编程手册。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好
    对于 UCD90120、它仅支持 ROM 模式升级。 请参阅该文档中的 ROM 模式更新部分、
    此致
    颐和

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好

    我在对器件 UCD90120RGCR 进行编程时遇到一些问题。

    我知道器件"UCD90120RGCR"没有遵循"正常模式"来对器件进行编程。 它使用"ROM 模式"对闪存进行编程。

    我能够成功地将器件置于 ROM 模式并验证它是否为 ROM 模式。 我还能够擦除闪存。 但是、我无法对闪存进行编程。

    以下是我遵循的步骤:
    1.将设备置于 ROM 模式
    "启动、发送地址0x7E、写入模式、验证 ACK、发送0xD9、 验证确认、停止、延迟50ms"

    2.在 ROM 模式下进行验证
    "启动、发送地址0x0B、写入模式、验证 ACK、发送0xEC、 验证确认、停止"

    "启动、发送地址0x0B、读取模式、验证 ACK、读取0x04、 发送 ACK、读取0x00、发送 ACK、读取0x02、发送 ACK、 读取0x00、发送 ACK、读取0x02、发送 ACK、停止"

    3.擦除闪存
    "启动、发送地址0x0B、写入模式、验证 ACK、发送0xF2、 验证 ack、发送0x00、验证 ack、停止、延迟25ms。"

    我对上述步骤没有任何问题。 接下来、我在擦除闪存后尝试对器件进行编程。 但在发送地址0x0B 并将其置于写入模式后、我没有得到确认。

    START、发送地址0x0B、写入模式、"未接收确认"。
     
    设备的固件版本为: 1.1.2.0000

    请注意、如果我在这里遗漏了一些东西。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好

    您是否已从 Fusion GUI 导出数据闪存脚本(.csv)文件?

    此文件对于每个命令都应具有非常清晰的指令。

    此致

    颐和

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Vigita、

    在步骤3之后、尝试延迟250ms 或更长、以确保器件完成擦除数据闪存。 现在、只延迟25ms。

    此致

    安妮·恩戈

    德州仪器(TI)