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[参考译文] TPS62913-IBB-EVM:有关 EVM 用户指南的问题

Guru**** 2386610 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS62913-IBB-EVM, TPS62913, TPS82130
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1204611/tps62913-ibb-evm-question-about-the-evm-user-guide

器件型号:TPS62913-IBB-EVM
主题中讨论的其他器件: TPS62913TPS82130

您好!

我想了解有关  TPS62913-IBB-EVM 的 VOUT 纹波数据的以下几点。

有关图2-2。 输出电压纹波、在 J5 (铁氧体磁珠之后)处测量、当捕获波形时、FB 线路连接到铁氧体磁珠之后或之前的什么位置?  

此致、

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    您好!  

    FB 连接在第一个 LC 滤波器上、而不是在铁氧体磁珠之后、如原理图(图5-1)所示、但未组装 R12。  如果移除 R5并将其放置在 R12上、FB 将连接在铁氧体磁珠之后。

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    您好、Steve

    感谢您的评论。

    我知道图2-2是在 TPS62913-IBB-EVM 的默认条件下捕获的。

    我想了解有关 TPS62913-IBB-EVM 的以下几点、

    1.关于 TPS62913-IBB-EVM 的输入电容器、请参见图5-1。 TPS62913-IBB-EVM 原理图、输入电容器仅安装在 VIN 和 GND 之间。 (C1至 C4)

    我想我们应该如下面的应用手册中描述的那样在10μF 和 PGND 之间放置一些电容器(例如 VIN+0.022uF)。
    (www.ti.com/.../snva856b.pdf)
    是否有任何特殊原因导致未在 TPS62913-IBB-EVM 上实现 VIN 和 PGND 之间的一些电容?

    2.如果需要将输出电压更改为-1.6V,我们应该将 R5值替换为29.4kΩ,正确吗?

    3、如果在您提到的铁氧体磁珠之后连接 FB、您是否认为输出纹波电压和输出尖峰(参见 EVM 用户指南的图2-2)会得到改善?

    此致、

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    您好!  

    对于 TPS62913、由于 VOUT 电容器可能在 VO 引脚上引起的应力、不建议使用该电容器(有时称为 CIO 或 CBP)。  如果您发现需要使用 CIO、建议在输出端使用二极管、如以下应用手册中所示: https://www.ti.com/tool/TIDA-01457。相关部分如下所示:

    我可能会将这一点包含在我对 TPS62913 IBB EVM 用户指南进行的任何更新中、因为这不是第一次出现。

    要将输出电压更改为-1.6V、我建议您保留 R5值5.6k、并将 R6也更改为5.6k。

    对于 FB 位置、将 FB 移至铁氧体磁珠滤波器的输出端有助于在负载条件下进行直流调节、但不会改善图2-2中所示的高频尖峰。  为了获得最佳稳定性、并在输出电容要求和 BOM 数量之间实现平衡、我建议在 EVM 上配置的铁氧体磁珠滤波器之前保持 FB 检测状态。

    此致、

    S·施尼耶

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    您好、Steve

    感谢您的建议。

    我认为 TPS82130 IBB 不安装 CIO、因为 VOUT 的绝对最大额定值为0V。

    TPS62913 VO 引脚的绝对最大额定值为-0.3V、但 TPS62913 IBB 仍有受到 CIO 损坏的类似风险?

    此致、

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    您好!  

    是的、VO 引脚的电路相似、具有相同的易感性。

    此致、

    S·施尼耶

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    您好、Steve

    感谢您的评论。

    我认为每款采用 DCS Control 的器件都有相同的风险、对吧?

    如何使用 DCAP-2或 DCAP-3等不同控制功能的其他 DCDC?

    它们是否也有相同的风险?

    此致、

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    大家好、

    你是对的。 所有降压转换器都具有相同的风险。

    谢谢。

    南锡