This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TPS22990:高容性负载

Guru**** 2380860 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1206553/tps22990-high-capacitive-load

器件型号:TPS22990

大家好、

您能在下面询问我们的客户吗?

在我的应用中是电容负载1-2mF、3.3V 时、根据数据表、它可能使用高达10nF 的 CT 电容器、3.3V 时是输出电压上升时间0.4ms、在2mF 负载时、充电电流将高达15A、 15A 超过3.3V 电源所能处理的电流。

因此我的问题是、如果有可能在 CT 电容器上使用更高的值、这样充电电流就会降低、47nF 的理论上升时间约为2ms、充电电流约为3A、 或者、MOSFET 是否会因线性区域中的工作时间过长而损坏?

启动后、电流将小于4A。

MOSFET 是否有任何 Soar 图?

此致、

达尼洛

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    大家好,Danilo,  

    CT 引脚上的电容值没有硬性限制。 唯一的限制是导通时间越长可能会导致器件发热。
    此外、对于数据表中指定的 CT 值之外的 CT 值、我们不提供任何时序图、也不为 MOSFET 提供任何 Soar 图。  

    此致、  

    伊丽莎白