[参考译文] TPS560430-Q1：请求提供效率与负载电流特性、高侧 MOSFET 导通电阻和低侧 MOSFET 导通电阻。

尊敬的 Vamsi：

感谢您在设计中利用 TPS560430。 让我与团队成员核对一下、然后我就可以回复给您。

此致、

理查德

您好、Richard、
我希望您能对此作出更快速的回应。

尊敬的 Vamsi：

很抱歉耽误你的时间。 20日是美国假期。 我已联系团队、正在等待回复。 目前、您可以尝试使用 Webench 模型逐步提高温度、以查看任何可行结果。

此致、

理查德  

尊敬的 Vamsi：

很抱歉耽误你的时间。 意外的是、我们无法获得15V 输出、但我们在125°C 下具有5V 输出数据、这可以为您提供良好的起点。 。 请访问 attached.e2e.ti.com/.../EfficiencyRegulation5V.csv

此致、

理查德

但是、要求是 (15V 输出的效率与负载电流特性)、5V 输出数据无法解决我的问题。

尊敬的 Vamsi：

在本例中、我将订购一个 EVM、它需要修改、因为它与电流规格不匹配才能获取数据。 该董事会将在3-5个工作日内送达。

此致、

理查德  

您好、Richard、

当然可以。 我会等待到那时。

此致、

瓦姆西

好的、谢谢 Vamsi。  

您好、Richard、

根据我之前的要求、现在请针对前一个案例添加以下查询。

请求为 TPS560430-Q1提供 MOSFET 的栅极电荷、LDO 输出电压和引导二极管正向压降。 我希望能快速回复。

此致、

瓦姆西

尊敬的 Vamsi：

此 EVM 已上线并正在进行修改、我只想向您提供一个更新信息。 让我把这个问题转给内部团队、我们会及时与您联系。 请预计在一周结束或下星期一之前收到答复，因为会外会议，我将担任 OOO。  

此致、

理查德  

尊敬的 Vamsi：

高侧和低侧 MOSFET 的 LDO 输出为4.6V。 自举二极管正向电压为0.6V、低侧 MOSFET 栅极电荷为0.78nC、高侧 MOSFET 栅极电荷为0.02* VIN+0.4。

我们目前正在设计热设置、以便在125°C 结温下运行效率测试。  

此致、

理查德  

您好、Richard、

感谢您的支持。 我将等待进一步更新。

此致、

瓦姆西

您好、Richard、

请帮我解决 MOSFET 漏源电压、上升时间和下降时间。

此致、

Vamsi.

尊敬的 Vamsi：

请参阅随附的效率数据。  e2e.ti.com/.../Efficiency.xlsx

上升时间和下降时间为5V/ns。 下面我先来谈谈 MOSFET 漏源。

此致、

理查德

您好、Richard、

感谢 您提供的宝贵支持、您能  提供 VIN = 26-32V 范围内的15V 输出效率与负载电流特性吗？MOSFET 内部二极管压降是什么？

此致、

Vamsi.

您好、Richard、

除了前面的讨论之外、您还可以提供内部栅极驱动器电流。

此致、

瓦姆西

尊敬的 Vamsi：

为了提高与内部团队沟通的效率、请告知我您的完整工作条件和您需要的其他规格。 提供后、我会将其转发给内部团队。  MOSFET 的绝对最大值为40V、但我们不建议将其置于高于最大输入电压的水平。 MOSFET 的体二极管为0.8V。  

您能否具体说明您的设计以及计划如何利用这些信息？ 如果是关键应用、离线讨论可能会更容易。  

效率规格如下所示：

e2e.ti.com/.../Efficiency_5F00_25_5F00_32VIN_5F00_0_5F00_600mA_5F00_IOUT.xlsx

此致、

理查德

您好、Richard、

我正在分析 最坏 情况下的降压转换器、  最坏 情况下 IC 功率损耗和开关功率损耗所需的内部栅极驱动器电流、MOSFET 漏源极电流、上升时间和下降时间。

此致、

Vamsi.