[参考译文] BQ76940：BQ76940级联 BMS

Bao、您好！

为了限制初始浪涌电流、可能必须使用预放电电路。  我假设您使用的低侧 FET 正确吗？

BQ76940没有预放电驱动器(我们较新的监控器系列 BQ76952包含此特性)。 我们大多数实现预放电功能的器件都是高侧。  但是、您可以通过一些方法来实现低侧实施。 您可能必须使用微控制器来控制预放电 FET。

以下 E2E 讨论了一些可能会有所帮助的内容：

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/798882/bq78350-r2-device-fw-pre-discharge-on-low-side 

此致、

路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙

您好、Luis：
感谢您的答复。 是的、我使用低 FET N 沟道。 我阅读了 Bq769x2的数据表、我会在将来更改。 但现在、我正在考虑使用 Bq76940来保护直流/直流并降低浪涌电流的解决方案。  
-当我第一次打开 FET 时,我配置的短路是266A 和工作正常。 但我想降低 FET 导通后的短路电流(约130A)。 那么、我可以延迟一些时间、然后减少它。 示例打开 FET ->延迟2s ->配置了新的短路电流、我是否可以在立即打开后对其进行配置？|
-如果我使用 Bq769x2 IC。 如何计算电流限制电阻器的值和功率？

Bao、您好！

-当我第一次打开 FET 时,我配置的短路是266A 和工作正常。 但我想将 短路  电流减小到  在 FET 上测得(约130A)之后。 那么、我可以延迟一些时间、然后减少它。 示例打开 FET ->延迟2s ->配置了新的短路电流、我是否可以在立即开启后对其进行配置？
可能没问题。 我不确定 FET 在配置这些设置时的行为。 如果 FET 状态没有变化、则应该没有问题。  我将仔细检查一下。  

-如果我使用 Bq769x2 IC。 如何计算电流限制电阻器的值和功率？
这在很大程度上取决于电池电压是多少、能够输出的电流大小、负载的电容是多少以及您希望限制电容器的浪涌电流的电流大小。 此外、您不需要选择电阻器两端压降较大的电阻器、因为您需要为电容充电、使其达到(如果不达到)电池电平。

此致、

路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙

您好、Luis：
谢谢你。 但我正在考虑使用 TVS 二极管100V 来保护直流/直流降压 IC。 你有什么建议吗？

您好、Luis：

可以。 我尝试过它、它工作正常。 我发现直流/直流转换器损坏的问题是、我将延迟短路保护从400us 更改为200us。 我不知道为什么？ 请帮我解释一下。

Bao、您好！

你能解释一下到底发生了什么事吗？ 您会发现直流/直流以200us 的延迟断开？ 但如果延迟为400us、则没有损坏？

此致、

路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙

您好、Luis：

可以。 延迟400us 和阈值低于266A 时恢复计时。 BMS 通知短路故障、BMS 仍正常工作。 但是、我将延迟改为200us。 BMS 导通和直流/直流转换器立即断开。

Bao、您好！

真有意思。 您是否有事件的波形捕获？ 奇怪的是、部件会因更快的延迟时间而损坏。  

我想到的是、200us 时的浪涌电流可能会高得多、这可能会激励迹线/电池中的电感、从而在 PACK+上产生很大的电压尖峰。 波形可能有助于准确找出问题所在。

虽然要加快速度、但如果您发现400 us 运行正常、您是否想将其保持在400 us？

此致、

路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙

您好、Luis：

可以。 我打算保留400us 的延迟时间、并使用 Bq76952 IC 开发下一个版本。 我认为大浪涌电流较高、200us、因此当 BMS 开/关 FET 时、电流非常高、会使我的直流/直流 IC 受损。

您好、Luis：

非常感谢您的支持。

您好、Luis：

请帮我解释另一个问题。 为什么 TI "20节ts串联电池模块参考设计"参考设计中的 C30和 C31与其他电容器具有不同的值(10uF)。www.ti.com/.../tidrnc5.pdf
谢谢！