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[参考译文] LM5116-HT:驱动 GaN FET

Guru**** 2769575 points

Other Parts Discussed in Thread: LM5116

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1204494/lm5116-ht-driving-gan-fets

器件型号:LM5116-HT
主题中讨论的其他器件:LM5116

您好!

我的问题与 LM5116 HO 和 LO 栅极输出驱动 GaN FET 的能力有关。 特别是 Ntreisa GAN603-650WSA (电压对我们的应用来说太大了)

您是否有关于 LM5116驱动 GaN FET 和/或替代 TI GaN FET 的任何信息?

另外、作为一个关注点、低侧周期性 Vboost 脉冲宽度应该是多少(我看到大约30ns)?

通用电源规格:

输入电压:70V t0 75V

输出电压:60V

IOUT:0A 最大值为10A

目前使用 LM5116版本而非 LM5116HT 进行测试。

谢谢!

WES

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好,Wes

    我尚未 对 LM5116试用 GAN603-650WSA、但 LM5116没有理由无法根据 GAN603-650WSA  规格驱动它。  

    然而、LM5116器件的死区时间和寄生元件相对较大、适合用于 GaN FET 应用。  

    请通过创建新帖子来联系  GaN 产品线、并获取有关 TI GaN FET 的更多信息。 另请参阅  https://www.ti.com/power-management/gallium-nitride/overview.html 

    EC 表中提供了死区时间规格。  

    - EL