您好！
我是一名本科生、正在从事题为"基于 GaN 的 D 类音频功率放大器的设计和实施"的毕业项目。 对于开关器件、我们选择了 LMG3422R030。 但是、与数据表一起提供的评估套件使用的开关频率低于200kHz。 我们的目标是让 GaN 以500kHz 的开关频率运行、因此我们有以下问题：
1) 1) 器件是否能够以所需的频率进行硬开关？ 数据表中 提到了2.2 MHz 的最大开关能力、但该图是硬开关还是软开关的？
2) 2)需要对原理图进行哪些必要的更改才能实现所需的开关频率？
3)在提供的评估套件中、PCB 由4层组成、但未详细描述这些层。 PCB 中每一层的精确用途是什么？ 无论是 PWR、GND、信号还是其他。
此致、谢谢。
I. SHAHAM
尊敬的 Imad：
如果您希望对开关损耗进行理想的估算、则没有任何替代方法可以使用基准测试。 功率损耗测试是我们半桥 EVM 的主要目的之一。 此外、进行高精度计算也很重要。 本文档更详细地介绍了：
话虽如此、几乎所有 GaN 硬开关的主要损耗都是 Rdson 损耗、重叠损耗和 Qoss 损耗。
下图展示了 LMG3422R030电感开关损耗：
对于本示例、我将假设其中一个半桥的占空比为50%、RMS 为5A。
每个 FET 的导通电阻：3.5A * 3.5A * 0.03Ω= 0.37W
图中的开关能量(主要来自 Qoss)在5A 时为~70uJ。 由于是在480V 电压下测量的、因此您应用的实际损耗将低得多。
即使在480V 电压下、500kHz 时每个 FET 的总损耗约为35W、可通过散热器和气流进行管理。 实际上、由于输入电压较低、损耗应该比35W 低几倍。
请注意、 这是一个粗略的计算、旨在提供对损耗的粗略估算、但 如果您需要 准确的信息、则应进行基准测试。
此外、LMG3422R030对于该应用来说似乎过大、这会影响效率。 为了降低损耗、您可以考虑切换到 LMG3410R150等较小的 FET。 而且、价格还不到一半。 如果您要执行功率损耗测试、我们有两种器件都适用的 EVM。
用于比较的 LMG3410开关能量图：
谢谢。
Travis。
