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[参考译文] UCC21530:SiC FET 栅源二极管?

Guru**** 2380860 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC21530, TIDA-01605, UCC21520
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1200371/ucc21530-sic-fet-gate-source-diodes

器件型号:UCC21530
主题中讨论的其他器件: TIDA-01605UCC21520

您好!

我们有一个三相逆变器、使用由 UCC21530驱动的 SiC MOSFET 构建、其设置 类似于 TIDA-01605。

在 某些测试用例中、我们的控制器 PI 环路变得不稳定并大量振荡。 我们随机损坏了一些低侧 FET、这些 FET 始终会表现出栅源短路。  

因此、我不知何故认为我们已超过 FET 栅极的限制、逻辑假设是在 FET 的源极和栅极之间放置一个肖特基二极管。

使用相同驱动器的其他客户在其设计中使用二极管:

链接1

链接2

我 想知道使用 UCC21530实施二极管是否可行、TI 是否可以建议放置栅源极二极管?

谢谢。

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    您好、这里使用该二极管很实用、我相信您指的是这个 Dclamp:

    另请注意、这应该是一个齐纳二极管。

    UCC21530与 UCC21520属于同一系列、且相同的最佳实践也适用于 UCC21530。 您可以复制您为应用链接的客户原理图。 关于放置、我建议二极管不要离驱动器或 FET 太远、以便尽可能减少布线的电感、通常是与 RGS 并联的。

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    感谢 Krystian、

    在  TIDA-01605中、当我的 VSSB =-4V 且 VDDB + 15V 时、这也适用吗?

    谢谢

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    它不能与使用双极电源一起使用、因为负电源将导致二极管导通、并且不会 将 栅极保持为负值。