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[参考译文] BQ77915:MOSFET 过热

Guru**** 2387080 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ77915, BQ34Z100-R2
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1356959/bq77915-mosfet-are-over-heating

器件型号:BQ77915
主题中讨论的其他器件: BQ34Z100-R2

大家好!

我正在处理基于 BQ77915保护 IC 的 BMS 项目、并且我制作了第二个修订版电路板。 与我的第一版一样、这里一切都正常、镂空按预期工作。 在第二个版本中、我刚刚添加了 SOC IC (BQ34z100-R2)、但对于初始测试、我没有 填充 PCB 上的 SOC 部分。 MOSFET 因电流较小而过热、例如2.5A 电流下的62°C。 其次 、我发现充电 MOSFET 栅极信号为~0.5V (电池电量为50%)、而版本1在使用同一电池时具有11.5V。 我的问题是:

1.如果在未启用串联 FET 配置中的充电 MOSFET 的情况下进行放电操作、会发生什么情况?

2.如果满足数据表中规定的所有条件,充电 MOSFET 关闭的原因可能是什么?

此致、

亚纳尔德汉

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Janardhan:

    如果器件检测到电流流过 FET 的体二极管(可能是热源)、那么该器件应将 CHG FET 重新开启。

    您是否能够观察 AFE 的 SRP 和 SRN 引脚之间的电压、以查看该电流是否得到正确测量。

    下面重点介绍了器件可能遇到的故障。 我还建议检查每一个。

    此致、

    马克斯·韦博肯