[参考译文] BQ76952：BQ7695202

Paul、你好！

如果我理解正确、您在 FET 栅极上看到的是~2.5V 的电压电平？ 或者您在原理图中的确切位置看到它？

器件是否打开？ 您提到没有连接电池、但 VBAT 电压来自何处？ 是否连接了充电器？

此致、

路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙

如果我理解正确、您在 FET 栅极上看到的是~2.5V 的电压电平？ 或者您在原理图中的确切位置看到它？

BQ76952的 DDSG 和 DCHG 引脚处

器件是否打开？ 您提到没有连接电池、但 VBAT 电压来自何处？ 是否连接了充电器？

在 Reg18上：1.8V、在 Reg1上：3.0V。 负载连接在电路原理图中所示的端子处。 电池加号直接从电池加号终端获取。 电压通过电路原理图中所示的 D9、R81、D1和 R26到达器件 BQ76952的 Vbat。  条件：电芯 C0至 C16未连接。

谢谢  

拉胡尔·夏尔马

尊敬的 Rahul：

我将在明天之前作出答复。

此致、

路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙

尊敬的 Rahul：

我仍然看不到电流如何流向 D9/R81。 二极管会反向偏置。 即使 PACK-被拉高至 BAT+、二极管两端的电压也将~0V。

我确实认为、如果连接了 BAT+、该器件可以通电、因为它直接连接到 D1/R26、除非我漏掉了什么？  

器件是否在唤醒时被编程？ 器件开启时的寄存器值是多少？

此致、

路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙

您好、先生！

我仍然看不到电流如何流向 D9/R81。 二极管会反向偏置。 即使 PACK-被拉高至 BAT+、二极管两端的电压也将~0V。

我确实认为、如果连接了 BAT+、该器件可以通电、因为它直接连接到 D1/R26、除非我漏掉了什么？  

如果您仔细查看电路原理图、您可以看到标签 B+通过 R2路由至 VC16、通过 D1&R26路由至器件的 Vbat、以及通过 R81路由至 D9阴极。 B+将通过感测线端接至电池正极。 如果 B+通过感应导线连接至电池正、则一切正常。

当 B+和其他所有感应导线(V0至 V16)未连接、且电阻负载作为电路原理图中的标记输出端子连接时、电池电压会通过负载到达 D9的阳极、随后到达 B+、Vbat 和 VC16。 现在、DDSG 和 DCHG 引脚电压为2.8V、由器件的 Reg1提供。 REG1电压= 3.0V、REG18 = 1.7V。

现在负载电流流过、这是不可取的。

器件是否在唤醒时被编程？ 器件开启时的寄存器值是多少？

我们不对唤醒进行任何编程。 我们设置如下：

电源配置：十六进制值-39a8 (寄存器值-0x9234)

WK_SPD_1和 WK_SPD_0位设置00。

尊敬的 Rahul：

所以、B+ 不连接在任何正确的地方？ 达到 B+的电压来自何处？ 在原理图中产生电压的节点是什么？

如果器件在唤醒时未编程、如何配置这些设置？ 这些 OTP 在器件上了吗？

另外、您提到的 D9二极管用于保护 CHG FET、但我不认为应该是这种情况。 我看到 D8/D13应该已经在保护 CHG FET。

顺便说一下、每个 MOSFET 不应具有10M Ω 的电阻、通常单个10M Ω 用于通用栅源就足够了、为什么要在每个 MOSFET 中添加一个10M Ω 的电阻？

此致、

路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙

尊敬的先生：

所以、B+ 不连接任何位置、对吗？ 达到 B+的电压来自何处？ 在原理图中产生电压的节点是什么？

此外、在电路原理图中、请查看以下内容：  

如果器件在唤醒时未编程、如何配置这些设置？ 这些 OTP 在器件上了吗？

 我们在做 OTP。

另外、您提到的 D9二极管用于保护 CHG FET、但我不认为应该是这种情况。 我看到 D8/D13应该已经在保护 CHG FET。

二极管保护充电 MOSFET 免受任何大于 B+的正极端子的影响。

顺便说一下、不应该有任何 needd9 d 需要每个 MOSFET 具有10MOhms、通常一个10MOhm 用于公共栅极源就足够了、有什么原因可以说明为什么要在每个 MOSFET 中添加一个10MOhm？

为实现平稳运行、始终建议放置 MOSFET 的栅极至源极。

谢谢  

拉胡尔·夏尔马

尊敬的 Rahul：

感谢图像和澄清它! 我现在明白了。 是的、我可以看到现在器件导通的泄漏是如何发生的。 通常、连接到负载的 B+也连接到 VC16/BAT 引脚、因此、如您所指出、仅当 B+与 VC16未连接时才会发生这种情况(因为 BAT 引脚连接到 VC16所连接的同一 B+节点)。  

您可以将 BAT 引脚连接到连接到负载的电池侧、在这种情况下、IC 可能导通、但没有电流流过电阻负载。

D9二极管本质上是为了保护 MOSFET 免受 PACK-上较大正电压瞬态的影响、对吗？ 在这种情况下... 改用双向 TVS 二极管可能更好、以便阻止从另一个方向流动的电流。 这将阻止任何由于阻性负载和 D9而流向 BAT 引脚的电流。

这是一种可能吗？

实际上并不需要单独的10MOhms 栅源电阻器、尽管我想它可能对寄生振荡有所帮助。 但是、单个栅极电阻器通常应该足以满足这一要求。 无论如何、我认为使用它们并没有太大的缺点、唯一的缺点是、随着更多的电流流过这些电阻器、MOSFET 驱动器的功耗可能会更高一些。 但这并不重要。

此致、

路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙