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[参考译文] LM5145-Q1:LM5145-Q1

Guru**** 2382480 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1359438/lm5145-q1-lm5145-q1

器件型号:LM5145-Q1

尊敬的团队:

首先、感谢您的持续支持。

先生、这是我制造的电路、我们已按照指南准备好布局布线、并已完成 PCB 制造和组装。 我在组装的 PCB 上有3个类似的电路(所有3个电路都与 原理图和 BOM 中的相同)我获得了非常整洁干净的脉冲以及第一个电路的准确输出、第二个电路脉冲没有正确产生、但从各个角度来看都是相同的。 作为参考、PCB 上的所有3个电路都串联在一起。 MOSFET 栅极脉冲中出现噪声和断点的原因可能是什么。 我附上了我的布局供参考。 请帮我解决我的问题。

提前感谢

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Venu、

    在超级紧密的环路中、输入电容必须从高侧 FET 漏极转到低侧 FET 源极。 有关此布局放置的更多详细信息、请参阅应用手册 SNVA803。

    在上面的布局中、AGND 引脚(引脚6)应该被接至 IC 的 DAP 覆铜区。 此外、VCC 去耦电容应介于 IC 的 VCC 和 PGND 之间(分别为引脚14和12)。 绑定到 FET 的 GND 覆铜区的做法不太理想。

    如需进一步查看、请发送原理图和完整的快速入门计算器。

    此致、

    时间