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[参考译文] BQ76930:REGSRC 源跟随器配置

Guru**** 2514975 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1361020/bq76930-regsrc-source-follower-configuration

器件型号:BQ76930

您好!

我正在尝试选择一个合适的 MOSFET 为 REGSRC 引脚供电。  我不了解 bq760x0 系列十大设计注意事项 第9节中提议的源极跟随器拓扑。 由于漏极(BAT)处的电压将明显大于栅极(VC5X)处的电压、因此 MOSFET 关闭并开始导电的时刻、源极处的电压将与电池处的电压大致相同。 这将导致 Vgs 低于 MOSFET 的 Vgs (th)、因为 Vsource 现在大于 Vgate、电路断开。 然后该过程会重复、从而产生切换效果。

我缺少什么吗?  我的分析有什么问题吗?

提前感谢、

Julián μ A。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好! Julián

    如果组件是理想的并且开关是瞬时的、它就可以做到这一点。 实际上、FET 的作用是随着源极上的电压增加而 Vgs 降低、FET 的 RDS 将增加、直到 FET 在线性区域中运行。 源极上的电压将稳定在大约(VG - Vgsth)。

    此致、

    马克斯·韦博肯