如果 EN 引脚控制 VDRV 引脚、这意味着只要 EN 引脚为高电平、VDRV 就会为高电平、从而驱动背对背 MOSFET 连接。
如果我的理解正确、则自举电容器 CDIV1和 CDIV2会提高电压。 电容器保持升压电压的时间。
我有一个用例、在这个用例中、MOSFET 将不得不 连续导通6 - 7天。 器件 TPSI3050是否适用于我的用例。
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您好、Arun、
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我们可以将开关 MOSFET 建模为电容器(CVDRV)充电和放电、该值由总栅极电荷(Qg)除以驱动器电压(VDRV)决定。 每次我们开启 MOSFET 时、这就等同于将 CVDRV 充电 至10V。每次我们关闭 MOSFET 时、我们都会对 CVDRV 进行放电。

当 TPSI305x-Q1将 VDRV 驱动为高电平时、它基本上会将 VDDH 连接到 VDRV。 TPSI305x-Q1将 VDRV 驱动为低电平时、会将 VDRV 拉至 VSSS。 峰值拉电流和灌电流(1.5A/3.0A)可以估算上拉/下拉的内部电阻。

首次 为器件供电时、电源传输将为 CDIVx 充电。 当您打开驱动器时、它会通过 CDIVx 为 CVDRV 充电。 CDIVx 的 电压下降、这是因为所有电荷必须与 CVDRV 共用。 然后、功率传输需要补充 CDIVx 中的电荷。 压降在计算器工具中以压降的形式显示。 因此、将 MOSFET 打开一次6秒、6天或6000天都需要相同的电量。
Unknown 说:我有一个用例、其中 MOSFET 必须 连续导通6 - 7天。 器件 TPSI3050是否适用于我的用例。 [/报价]是的、只需要足够大的 CDIVx 即可。
此致、
T·陈
固态继电器|应用工程师