[参考译文] TPS7A89：压降电压 ESP32

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1364068/tps7a89-dropout-voltage-esp32

器件型号：TPS7A89

大家好、我开发了一款通过 A7672SA 模块使用 ESP32的物联网设备。

esp32与3.3V 配合使用、A7672SA 模块与3.8V 配合使用。二者的电压均正常、但当 A767X 尝试连接到 GSM 或 LTE 时、ESP32将复位

我很奇怪、因为电流大约为300 mA 峰值。

当我使用示波器时、电压会下降2伏、因此我认为这可能是问题所在。

这是我的原理图

1 年多前

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2507255 points

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Ricardo、您好！

看起来 Vin 上的直流电压为6V、在该瞬态期间、电压下降了略超过一伏特。很难理解示波器波形、因为我不能很清楚地知道每个通道的0V 电平在哪里。而且看起来4.2V 轨下降到3.6V、然后3.3V 轨下降到1.7V。

尝试测量铁氧体磁珠两侧的电压、以查看这是否对压降产生了影响。铁氧体磁珠看起来像是低频下有损耗的电感器、并且由于电感器会与电流的变化发生对抗、如果铁氧体磁珠的输出具有大负载阶跃、则 LDO 将需要更长的时间才能恢复。如果测量铁氧体磁珠两侧的电压、您将看到这种效应(如果发生这种情况)。如果这是原因、那么您的解决方案是选择更好的铁氧体磁珠(低频时具有更低的阻抗)或完全短接铁氧体磁珠。

在该设计的第一个最内层应有一个 GND 平面、请确认 GND 直接位于 FB 引脚和任何相关的 FB 引脚覆铜下面、充当电容 EMI 屏蔽层并防止任何瞬态噪声电容耦合到 FB 引脚中(和改变 Vout)。

您可以移除铁氧体磁珠并在此处放置导线环路、然后使用电流探头测量3.3V 电源轨上的电流消耗。

数据表中的图39显示了此器件的输入暂态行为、它远未达到您在此测量中看到的压降水平。不过、您可能需要额外的输入电容来帮助保持 Vin 以改善瞬态行为。

谢谢。

斯蒂芬

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