[参考译文] BQ25882：关于 BQ25882的问题

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1362239/bq25882-question-about-bq25882

您好：

在客户验证 BQ25882YFFR 芯片时、存在 VBAT 上的300V 低电压浪涌期间 VBAT 末端的较大泄漏问题。 已经测试了两个原型；切换回 SGM41528没有问题。 请请求 TI 帮助分析故障原因

1.测试报告如下

e2e.ti.com/.../testing-report.xlsx

2. VBAT 端配有一个10uF 电容和一个 TVS 浪涌管(PTVSHC3N10VU TVS、10V、200A、1500p、DFN2 × 2-3L, 高0.65)

3、用户试用 VBAT 时断电、机器不开机、无法捕获日志

4、 充电部件原理图

e2e.ti.com/.../P0911_5F00_Main_5F00_SCH_5F00_V1.0A_5F00_20240111_5F00_1500_5F00_LPDDR4X_2D00_CHG.pdf

5.浪涌波形与漏电流波形的对比资料如下

(1) 这是 SGM41528的波形

(2)此处是 BQ25882YFFR 的波形

此外，补充说明如下：

1.浪涌标准似乎是 IEC61000-4-5。 需要什么电平或电压电平？

=>电压电平硬测试标准为300V

2.该设备在电池连接器上有保护二极管,比如 T2713、T2714等。 额定值是多少？

=> 保护二极管、T2713和 T2714是保留的、不粘贴、只粘贴 T2706 TVS 极性10V-1500PF-DFN2X2-3模型 PTVSHC3N10VU

3.测试完成后漏电流为1mA。 您是否在浪涌测试之前测量了大约200uA 的泄漏电流？

=> 在浪涌测试之前经过测试、泄漏小于300uA