[参考译文] BQ76972：CAN&#39；请参阅 BatteryManagementStudio 中的 BQ76972

添加更多信息：

无法通过在 BatteryManagementStudio-1.3.124_Build1中使用 EV2400来连接到 BQ76972，已将4S2P LiFePO4插入电路板并尝试向 TS2提供5V 电压并提供13.5V 的电池组+，但 BatteryManagementStudio 仍然看不到该器件，并且 REG1没有电压输出。 (但 CP1有24V，BAT 有12V，LD 和 PACK pind 也有12V 左右，任何人都能提供帮助。

您好、Minki、

您可以使用 BQ76952 连接 bqStudio。

为了唤醒器件、你必须下拉 TS2、不要对其施加电压。

REG18是否测量任何电压？ 如果器件开启、则该值应为~1.8V。

此致、

路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙

您好、Luis：

只需在 bqStudio 中连接。

但我发现几乎没有问题。

首先是 TS3保持在-253oC、我确定使用正确的 B (25℃ NTC/NTC) 3435K 85℃ (TDK-NTCG103JF103FT1)、

我试着对工作室说超出范围进行校准、我该如何启动调试？ 是通过并联的10nF 电容器实现的吗？

我不能充电或放电电池组,甚至充电1A 和放电4A ,可以帮助检查数据是否有任何问题?

感谢 Youe2e.ti.com/.../1BQ79672.gg.csv

您好、Minki、

您必须在寄存器中启用热敏电阻。 TS3在您的设置中被禁用。

FET_EN 也被禁用、这意味着 DSG/CHG FET 不会导通。 以下应用手册可能有用：  

此致、

路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙

尊敬的 Luis：

感谢应用手册、但在将 TS3设置为电芯温度且 FET_EN 仍无法正常工作

我发现 CP1大约只有15V、

请帮助您再次检查设置

非常感谢

e2e.ti.com/.../Test2.gg.csv

您好、Minki、

查看您共享的图像、看起来器件工作正常。 TS3测量~26degC 并且启用了 FET_EN、这表明 DSG 和 CHG FET 处于导通状态。

电池电压似乎是~12V、因此我预计 CP1会比该电压高~11V、大约为23V。 情况不是这样吗？

您是否有设计原理图？

此致、

路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙

尊敬的 Luis：

在上电/断电周期后 、CP1在电池电压为12.75V 时的电压为23.4V、但即使 FET_EN 已启用、DSG 和 CHG FET 在演播室中导通、CHG 的栅极电压仅为12.69V、DSG 为9.3V。

即使我关闭了所有的保护,仍然无法咀嚼和去充值。

我想知道用户 A 的单位？

应该直接在 studio 中输入电流检测电阻值或根据应用手册中的公式输入？

例如、我希望在35秒后 OCD3以700A 的电流切断...设置是否如此？ 装置应为-700、-7000或-70000？

请看原理图。。。 但似乎发送给你以前...

非常感谢 help....please 帮助我修复

e2e.ti.com/.../G24BMS_5F00_V05-cleared.pdf

您好、Minki、

您需要将 EV2400更新为 v0.32。 您是否使用过 EVM 来熟悉它的工作原理？

Unknown 说：

CHG 的栅极仅为12.69V、DSG 为9.3V。

即使我关闭了所有的保护,仍然无法咀嚼和去充值。

[/报价]

在我看来、FET 应该放在这里。 MOSFET 的导通电压低于该值。 那么、为什么无法进行放电/充电？ 您能解释一下您要做什么吗？ 以及您这样做的步骤？

Unknown 说：

我想知道用户 A 的单位？

[/报价]

默认情况下、它以 mA 为单位。 我会建议您阅读 第4.3节库仑计数器和数字滤波器 的 技术参考手册。

Unknown 说：

应直接在 studio 中输入电流检测电阻值或根据应用手册中的公式输入电流检测电阻值？

[/quote]

使用 bqStudio 时、您会以 mOhm 为单位输入检测电阻值。 bqStudio 将自动将其转换为 BQ769x2可以理解的值。 如果您有1m Ω 的传感电阻器、则应在 bqStudio 中输入1。

Unknown 说：

例如，我希望 OCD3在35秒后以700A 的电流切断...设置是否像这样？ 设备应为-700、-7000或-70000？

您的 OCD3设置将取决于您的 userA。 如果您的 userA 单位为100mA、则应使此-7000。 延迟可以用秒表示、因此35秒是可以的。  

Unknown 说：

请查看原理图..... 但似乎在...

之前发送给您

我想我能做到!

应注意、C8应连接到 VSS (而不是 VC0)。

此致、

路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙

[/quote][/quote]

尊敬的 Lusi：

>您需要将 EV2400更新为 v0.32。

完成

>您是否使用过 EVM 来熟悉它的工作原理？

我没有 EVM。。。

>在我看来，FET 应该放在这里。  

是的，应该去，但没有去

>您的步骤在这样做吗?

情形1：

连接电池组、仅将 Vcell 模式编程为0x8007、TS1连接到0x00、TS3连接到0x07、PROTECT 配置为0x2FET 选项连接到0x1D

设置为0.145。CP1将具有23V、但在发送 FET 启用命令后、CP1将降至15.1V

情形2：

连接电池包、仅配置 CC 增益为0.145、TS1至0x00、TS3至0x07、保护配置为0x00、FET 选项设为0x1d.Mfg 状态 INIT 设为0x50、配置后 CP1仅具有15.1V (检查 Chg Pump 控制为0x01)

情形3：

1.连接电池,打开 studio

2.测量 CP1 23.4V、CHG12,722V、DSG 9.5V

将 Vcell 模式配置为0x8007、CP1、CHG 和 DSG 相同电压

4.Config TS1至0x00、TS3至0x07、CP1、CHG 和 DSG 相同电压

将保护配置设置为0x00、CHG 和 DSG 电压相同

将 FET 选项配置为0X1D、CHG 和 DSG 相同的电压

7.Config Mfg 状态 INIT 设置为0x50、在配置这些配置之后、CP1仅具有15.1V 电压(检查 Chg pump control 为0x01)

8.Config Mfg 状态初始化为0x00、在配置这些 CP1后恢复为23.4V、

9.Config Mfg 状态初始化为0x40、CP1保持23.4V、

10.Config Mfg 状态初始化为0x10、CP1降至15.2V

是某种配置错误所致？ 我没有清除某些错误位？ MOSFET 配置问题吗？

是否应该取下 D6、Q7、Q16 D8、Q23、D7、D9进行测试？

>一个注释是 C8应连接到 VSS (而不是 VC0)。

是的,我忘记了,但它不应该是这样的过程?

其他附加测试、配置 Mfg 状态初始化为0x10、CP1降至15.2V、CHG 采用13.892V、DSG 采用13.038V

在10mA 处开启 ELOAD、CHG 将下降到12.1V、而 DSG 将下降到8.791V、V 电池组下降到接近零、

停止 ELOAD 后、CHG 恢复到13.82V、DSG 恢复到13.038V。

一般般 是 MOSFET 控制硬件问题？

非常感谢

尊敬的 Lusi：

您知道这个误差会发生什么吗？