[参考译文] LM25184-Q1：关于减少 RCD 电路上的振铃的问题

尊敬的 Ethan：

感谢您发送编修。  缓冲器似乎不够充分。 您是否知道变压器的漏电感？   

无论如何、 我会尝试将 C1740增大至47nF、同时将电阻器值从3.9k 减小至2k、然后看看振铃是否会进一步衰减。

另一种方法是使用齐纳钳位而不是 RCD 缓冲器、如我们的示例电路

请告诉我结果。

谢谢。

友好

您好、您好。  

他们尝试了你在这里提到的建议。 结果显示没有太大的改善。  

您能帮助在此处查看其他解决方案吗？ 如果不能解决这个问题，他们会考虑更换。  

1.R=3.3k、C=40nF、振铃峰值电压为45.2V

2. R=1.5k，C=20nF，振铃峰值电压为43V

3. 使用我们的 EVM 提供的齐纳钳位 SMAJ17A、17V。  振铃的峰值电压为49.2V

谢谢！

温伊登

尊敬的 Yousi：  

来自客户的另一个更新。 他们尝试使用以下方法来减少振铃。  

Rclp=3.3k、Cclp=20nF、Rdamp =5.1、Cdamp =470pF

下面是此方法的波形。 结果显示效果更好、但仍需要进一步降低。  

此外、您能否帮助提供 LM25184-Q1中内部 MOSET 的寄生电容？  

谢谢！

温伊登

尊敬的 Ethan：

感谢您提供的信息。 实际上、如果前两项功能不好、那么我的下一项建议就是添加他们额外的 RC 缓冲器。

它们对 TVS 的使用不正确。  它应该是 TVS 以外的齐纳二极管。  这些是不同的产品。  27V 齐纳二极管会在大约27V 的电压下导通、但27V TVS 会在高得多的电压下导通、从而将 MOSFET 峰值电压推至更高的水平。   

总之、使用额外的 RC 也是一个不错的选择。 该波形看起来已经很好。  您的意思是客户想要进一步抑制振铃？  在这种方法下、他们是否可以尝试将5.1欧姆增加到~15欧姆、并将425pF 保留在额外的 RC 缓冲器中？  它们可能在第一个峰值中看到稍高一些、但之后具有更好的阻尼振铃。

谢谢。

友好

您好、您好。  

客户反馈、总体而言、他们认为33V 峰值电压对于 LM25184-Q1应是可靠的。 LM25184-Q1内部 FET 的绝对电压为70V。 您是否认为33V 在整个温度范围内都足够了？  

他们尝试使用齐纳二极管来查看是否有任何改进。  

最后一点是、请提供 为  LM25184-Q1中内部 MOSET 的寄生电容(Cds)。  

谢谢！

温伊登

尊敬的 Ethan：

是的、33V 就足够了。  MOSFET 的70V 额定电压适用于整个工作温度范围、具体请参阅数据表中的绝对最大额定值表。

关于内部 FET 的寄生电容、它们并未包含在数据表中、因为它们并未单独表征。  我可以让我们的设计团队来看看、并发送电子邮件给您。

感谢您推广 LM518x 器件。

此致、

友好