我们要通过将 SYNCOUT 保持断开状态来使用此 LM5170-Q1中的 MOSFET 故障保护功能。 但是、即使 MOSFET 的高侧和低侧之间没有短路、nFault 也保持关断(低电平状态)。 如果禁用 MOSFET 故障保护(SYNCOUT 引脚连接到10K 至 GRND)、那么我的降压转换器48V 至12V 可以正常工作。 请告诉我在这里遗漏了什么。 谢谢你。
尊敬的 Chung：
我想知道您是否使用了 如下所示的断路器(一对背对背 MOSFET)？
如果断路器不存在、或者断路器 FET 不受 LM5170-Q1控制、则必须停用故障检测功能。
此致、
峰值
尊敬的 Feng Ji：
感谢您的答复。 我的原始设计没有12V 输出处的断路器(一对背对背 MOSFET)。 为了在 MOSFET 发生故障时保护负载的过压、我需要添加断路器、这次通过将 SYNCOUT 引脚保持断开状态来启用 MOSFET 故障保护、如图所示。 但是、由于启用了此故障检测功能、LM5170-Q1会保持关断模式、即使 MOSFET 也不会短路！ 当 EN1和 EN2为高电平、UVLO > 2.5V 且 VCC > 8V 时、nFAULT 引脚不会被上拉为高电平！ 请注意、当故障检测模式被禁用时、LM5170-Q1工作正常(具有一个与 GND 相连的10KR 引脚的 SYNCOUT 引脚)。
根据 TI 专家 Youhao 的说法、检测 MOSFET 故障的机制好像是将20mA 灌入或拉取至 CSBx 引脚、并通过监控 SWx 电压引脚来检测故障。 如果正确、我保证此 SWx 引脚可能无法升高到4V 至6V 或更低至1V、以确定由于 我的电路中的 CSBx 连接了一个大输出电容而导致 MOSFET 短路、如随附的图所示。 在该模式下、nFAULT 仅在1.5V < UVLO < 2.5V 时上拉为高电平！ 请告诉我如何 使 此 MOSFET 故障检测生效。 我缺少什么吗？
另一个问题是关于用于设置低侧最大输出电压的 OVPB 引脚。 我注意到、软启动将一直运行、直到达到该电压、然后再传输到控制环路。 此 OVPB 电压设定值是否也是过压关断故障？ 假设我希望让 LM5170-Q1在电压达到16V 时关闭栅极驱动器、但我更希望软启动一直运行、直到达到稳定电压(12V)、以防止启动至负载时出现过压。 我怎样才能做到这一点？ 如何分离启动期间软启动中的最大电压和过压保护？
尊敬的 Chung：
您应该将输出电容器连接到 LV 端口、而不是 CSB。
软启动与 OVPB 无关。 我想您没有软启动电路。
请参阅 LM5170EVM 用户指南。 下面的电路专为软启动而设计。
此致、
峰值
您能解释一下为什么我应该增加软启动时间吗？ 我倾向于软启动时间足够长、能够使输出电压接近13.5V 的调节电压设定值、但不能是 Vovpb 设定点~19V。 请查看随附的图表、其中显示了我的电路中的软启动。 显然、软启动一直运行、直到达到~19V 的最大输出电压、此时 OVPB 引脚处的电压设定值为(Vovpb=1.185V x (68.1k+1M)/68.1k=18.59Vdc)。 如果低侧输出达到 Vovpb 设定点、LM5170-Q1是否会关断(nFault -> LOW)？ 由于输出达到 Vovpb 而导致的关断后是否存在任何迟滞？ 为了减少软启动中的过冲、 我曾尝试将 Vovpb 降低到~15.5V、但它可能导致正常运行期间输出过早关闭。 是否有建议防止低侧输出的软启动过冲？ 谢谢你。
尊敬的 Truong：
输出电压停止增加、直到达到 OVP 阈值(19V)。 过冲是由环路响应引起的。 软启动用于消除 过冲。 我相信 软启动现在并没有生效。
在降压模式下、当 OVPB 引脚电压高于1.185V 阈值时、SS 电容器放电并保持低电平、直到过压条件消除。
您能否与电感器电流、输出电压、SS 引脚和 C90电压共享波形？
此致、
峰值
