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工具与软件:
您好!
问题1: 为了验证温度上升情况、您能否告诉我测量封装(外壳)温度和环境温度的位置和条件?
同时、案例也分为顶部和底部、因此请具体说明您要测量的位置。
问题2. 最大功耗(PD)在内部被列为受限、但它只是一个参考值、所以您可以透露一下吗?
谢谢。
科诺
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尊敬的 Conor:
您打算如何进行一般性测量? 您会将器件放在烤箱中还是类似的环境中? 我之所以提出这个问题、是因为当器件可处于室温时、进行测量要容易得多。 在这种情况下、环境温度是指远离器件的空气温度(至少超过几英寸、以便测量的空气温度不受辐射或对流热量的影响)。 我发现、测量外壳温度的最简单方法是使用热成像设备、以及使用高发射率喷雾来校准反射辐射。 则要使用的外壳温度是外壳顶部的最热点。
此致、
尼克
尊敬的 Conor:
抱歉、我忘了直接解答您的问题。
Unknown 说:q1. 为了验证温度上升情况、您能否告诉我测量封装(外壳)温度和环境温度的位置和条件?
此外、案例分为顶部和底部、因此请告诉我们您正在测量的具体位置。
外壳温度测量最容易在外壳顶部完成。 在实际电路板上、最好使用 ΨJT 参数来估算结温、因为 ψ 指标主要与电路板布局无关、而 θ 指标在很大程度上取决于电路板布局。
在测量外壳温度时、环境空气不应在器件附近大量移动、即不应有空气吹到器件上、因为热指标是在假设器件附近没有对流冷却的情况下进行仿真的。 正如我在之前的评论中提到的、计算中应使用外壳顶部的最热点、这也是我使用热成像器件的原因、因为提前了解最热点并非易事。 此外、热电偶等其他温度测量方法也存在许多挑战和限制、如测量精度与因热电偶本身的热质量而导致的意外散热。
问题2. 最大功耗(PD)在内部被列为受限、但它只是一个参考值、所以您可以透露一下吗?
[/报价]这有点用词不当、因为此器件有一个热关断电路、可在结温达到特定点时关断输出、但达到热关断的功率耗散取决于运行条件、特别是可用的环境温度和电路板布局布线/散热器。 该器件的热关断温度应该在150C 左右;LM317相当旧(我相信您知道)、因此我们的文档有限、我无法找到具有热关断温度的特性报告。
此致、
尼克