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(了解问题) 输出端放置了非常大的电容器、启动期间浪涌电流将非常高 (I_INRUSH = COUT* dv/dt) 。 这可能导致器件耗散大量功率并使器件的结温升高。 为了保护器件、当结温达到 TSD 阈值(150C)时、热关断(TSD)将起作用。 这可能会导致启动失败或意外。
(解决方案1:压摆率较慢启动) 第一种解决方案是减小 dv/dt (通过设置更大的 dVdt 电容)、从而降低 I_INRUSH、并降低器件的总功率损耗。 这将增加启动所需的总时间、但会阻止在启动期间进行任何 TSD。 如果不考虑启动时间、这种方法优于解决方案2。
要确定 dVdT 电容器的最佳值、请使用我们的 设计计算器。 此时、您需要填充 Vin、Cout、ILIM、Rlstart。 更改电芯 D62 (dVdt 电容)的值并检查电芯 D72以进行确认。 这有助于找到 dVdT 电容的最佳值、以便在没有 TSD 的情况下以最快的速度启动。
(解决方案2:自动切断与恢复启动) 由于我们具有 TSD 保护、可防止器件受到任何损坏、因此我们可以使用器件的自动重试功能。 由于浪涌电流较高、该器件将进入 TSD、然后器件将重试并再次执行启动、并且重复此循环。 在每个启动周期中、输出电容器将被充电、并且浪涌电流会减小。 最终、这将允许器件完全启动。 与解决方案1相比、这种方法更快、如果存在启动时间限制、则首选此方法。 针对 NRTRY 和 rTRY_DLY 设置、按照数据表第8.3.8节中的故障响应表进行操作。
(用波形演示此过程)
使用的测试条件为:输入电压为12V、输出电容:8mF、无电阻负载、ILIM:3A。
条件:结果 |
波形 |
闭锁模式(rTry_DLY 短路)且 dVdt 为10nF (高压摆率):启动失败 |
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Latchoff 模式(rTry_DLY 为短)和 dVdT 为115nF (根据设计计算):启动通过(解决方案1)
启动时间:315ms |
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无限重试模式(rTry_DLY 打开,NRTRY 短) dVdt 为10nF:启动已通过(解决方案#2)
启动时间:220ms |
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更多资料、请参阅《为超级电容器充电: 通过电子保险丝为超级电容器充电》应用手册(TI.com)