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器件型号：LM7480-Q1 工具与软件：
团队成员
客户获取有关 LM7480x-Q1 MOSFET 和 VDS 选择的问题：
1.在 DS 中,我们有以下描述。 您能否解释一下为何使用2个单向 TVS 可以将 MOSFET 的额定电压从60V (使用单个双向 TVS)降低到40V？
2.关于如何选择 MOSFET 和 TVS 的详细指南。
谢谢！
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客户获取有关 LM7480x-Q1 MOSFET 和 VDS 选择的问题：
1.在 DS 中,我们有以下描述。 您能否解释一下为何使用2个单向 TVS 可以将 MOSFET 的额定电压从60V (使用单个双向 TVS)降低到40V？
2.关于如何选择 MOSFET 和 TVS 的详细指南。
谢谢！
您好、Terry、
1.在 ISO 脉冲1期间、 输入电压摆幅为负、需要钳制。 必须根据2个因素选择该钳位。
1.器件最大绝对值：由于器件的额定电压为-65V、我们必须将其钳制在>-65V 的电压下。
2. FET VDS 额定值：在 ISO 脉冲1期间、由于反向电流阻断 FET 被关闭且其 VDS 可能会被超出。
对于额定电压为60V 的 FET、我们可以钳位至-44V。 (60V 至16V)
对于额定电压为40V 的 FET、我们必须钳位至-24V。 (40V 至16V)
由于所需的钳位不同、我们需要使用不同的 TVS 来钳制负侧。
对于正极侧、我们实际上不进行任何钳位操作、并且需要正极侧 TVS 来阻断电源路径、否则、如果仅存在负极 TVS、我们将 将输入电源短路。
现在、对于60V FET、为什么是双向的？对于40V 额定 FET、为什么是双向的？
在60V 情况下、我们有一个二极管、可以钳制在-44V、并在正极侧传递抑制负载突降、因此使用双向是理想选择。
在40V 情况下、我们没有二极管以-24V 钳位、也不会 在正极侧通过抑制负载突降、因此我们需要使用2个单向 TVS。
二极管的选择取决于所使用的 MOSFET、反之则不然。
2.产品说明书中提供了 MOSFET 选择指南。 请查看以下部分 10.2.4和10.2.5 。
此致、
S·迪尔
