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[参考译文] TPS54821:请求对具有反向电流保护的电路进行布局审查

Guru**** 2387830 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS54821, BQ24133
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1369261/tps54821-request-for-layout-review-of-circuit-with-reverse-current-protection

器件型号:TPS54821
主题中讨论的其他器件: BQ24133

工具与软件:

您好、TI 工程师!

我希望您协助我们审查 TPS54821电路的布局。 这与我之前发表的关于为降压转换器引入反向电流保护的文章相关。 以下是指向上一个问题的链接: https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1363426/tps54821-reverse-current-protection。 TPS54821 降压转换器电路只是较大混合信号电路设计的一部分。 我仅在随附文件中包含了主设计的 TPS54821原理图和布局部分。 (Gerber 文件和下面原理图的 PDF 文件)。 请告诉我您是否能够打开这些文件、

下面是 TPS54821电路的方框图及其原理图版本。 12V IN (Vcharger)也连接到 电池的充电 IC (VBAT)。 充电器 IC 是一款具有电源路径 MOSFET 的 BQ24133。 由于有一些元件直接连接到12V (Vcharger)节点、因此我们 在降压转换器的输入端之前添加了一个 MOSFET。 此 MOSFET 由同时控制降压 IC 使能引脚的微控制器信号进行控制。 额外的 MOSFET 基于 TI 工程师在我之前文章 https://www.ti.com/lit/an/slyt689/slyt689.pdf 中的建议。

方框图

降压和背对背 FET 原理图

TI WebBench 设计

如前所述、降压和背对背 P 通道 MOSFET 一次仅通电一个。 它们永远不会同时打开。 我们拥有的原理图和布局基于 TI Web Bench 设计。 我们在原理图中进行的唯一修改是将电源正常引脚接地、因为我们不使用该引脚。 对于顶层、我们遵循了 Web Bench 的布局、其中 PVIN 和 VIN 连接在同一铜多边形覆铜上。 对于内层1、顶层下方的层、我们复制了 TPS54821 EVM、它具有顶层 PVIN 和 VOUT 铜多边形覆铜的副本。 内层2和底层主要是接地层。 在光绘文件中、您会注意到 BUCK 电路周围的其他布线。 这些是连接降压电路(使能引脚和输出电压返回至反馈电阻器)或位于降压电路顶部的充电电路的信号迹线。 这些布线主要位于底层。 降压布局的主要电源/开关部分下方没有 PCB 迹线。 如果您对我们随附的布局光绘文件有任何说明、敬请告知。  

原理图

顶层

内部1 (EVM)

e2e.ti.com/.../TPS54821_5F00_Circuit_5F00_gerber.zip

e2e.ti.com/.../TPS54821_5F00_Circuit.pdf

谢谢。

丹尼尔

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    尊敬的 Deniel:

    很难使用光绘文件检查 PCB 布局。 您可以向我发送原始 PCB 文件吗? 您可以发送至我的电子邮件: nancy_zhang@ti.com

    谢谢。

    南锡

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    TPS54821降压电路原理图和布局审查已离线完成并解决。