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[参考译文] LM5109B：驱动电流咨询

admin
Guru**** 1489625 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5109B
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1366905/lm5109b-drive-current-consultation

器件型号：LM5109B

工具与软件：

大家好、

我的客户希望使用 LM5109B 同时驱动三个 MOSFET。 因此、我想知道 通用 MOSFET 的通用驱动电流有多大、以及我们是否可以使用单个 LM5109B 同时驱动三个 MOSFET？ 谢谢。

Br、

赖克

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    TI__Guru**** 1489625 points
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    我们是否可以使用以下公式评估驱动电流？  

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    TI__Guru**** 1489625 points
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    您好！

    由于2024年5月27日在美国度假、许多器件专家目前都不在办公室。 当他们返回时、他们会进行研究并提供响应。 请相应延迟。

    谢谢。
    普拉蒂克

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    TI__Guru**** 1489625 points
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    嘿、Ryker、

    感谢您提出有关 LM5109B 的问题。

    是的、LM5109B 能够驱动三个并联的 MOSFET。 驱动电流要求由所需的上升/下降时间、所驱动 FET 的总 Qg 和所需的 Vgs 决定。 请查看以下常见问题解答、其中包含用于计算应用驱动电流的 Excel 文件。 请注意、在所需 Qg 下充电的最大栅极是全部三个 MOSFET Qg 的总和。

    [常见问题解答] LM2105：半桥栅极驱动器最小电流计算器

    栅极电阻还将 改变 FET 的导通/关断的上升和下降时间。

    如果您有任何进一步的问题、请告诉我。

    谢谢！

    威廉·摩尔

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    TI__Guru**** 1489625 points
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    您好、William、

    感谢您的答复。 我还有一个问题。 MOSFET 的③时间与如下所示的 μ s 工艺相对应。 所以、为什么在等式中使用 Qg 而不是(Qgs + Qgd)？ Thnaks.  

    此致、

    赖克

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    TI__Guru**** 1489625 points
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    嘿、Ryker、

    Qgs 是 FET 达到导通状态所需的栅极电荷。 而 QDS 是达到导通状态后直到 VDS 开始下降所需的电荷。

    Qg 是栅源电压从0V 上升到10V (或其额定/指定值)所需的总栅极电荷。 这可以简化为 Qg = Qgs + Qgd + Vgs 达到10V 所需的电荷。 因此、这就是为什么在查看栅极驱动以及上升和下降时间时、您必须使用 Qg 来确定 Vgs 完全上升所需的条件。

    如果您有任何进一步的问题、请告诉我。

    谢谢！

    威廉·摩尔

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    TI__Guru**** 1489625 points
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    您好、 William、

    MOSFET 的上升时间对应于 Qg 还是(Qgs + Qgd)？ 我 ②了③报告、其中显示 MOSFET 的上升/下降时间为" ①+②"(Qgs + Qgd)、如下所示(Vds 压降至低电压)、但 Qg 的时间为"③+④+ "。 所以我担心的是、"属性"和" Qg "不对应。

    MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理(取代 SLUP169)(修订版 A)(TI.com)

    此致、

    赖克

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    TI__Guru**** 1489625 points
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    嘿、Ryker、

    需要使用 Qg 来确定全上升时间、因为它是从原点(0V)到 Vgs 等于驱动电压(~10V)的电荷。 这适用于 FET 导通的完整上升沿。

    正如您提到的、Qgs 和 Qgd 只是总 Qg 的中间部分、它们仅适用于上图的第2部分和第3部分。

    对于 dt 和 Qg 的对应关系、dt 是 Vgs 从0V 上升到驱动电压(~10V)所需的总时间、总栅极电荷(Qg)是从0到10V 整个转换过程的栅极电荷。

    如果您还有其他问题、请告诉我。

    谢谢！

    威廉·摩尔