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器件型号：LMG1020 主题中讨论的其他部分: 鳄鱼夹
工具与软件：
您好、TI 团队、
我对 LMG1020 GaN 驱动器的上升时间 tR 有疑问。 我的设置：LMG1020直接连接到 EPC2019、中间没有任何栅极电阻器。 布局尽可能紧凑。 GaN 在导通时通过10k 电阻器在6.5V 电压下切换为零(因此晶体管在切换相当小的负载)。
遗憾的是、性能不如我所希望的那么好。 根据 数据表、驱动器的典型输出上升时间应该大约为375ps @ pF 负载。 EPC2019 的输入电容(CISS)典型值为。 254 pF 和示波器+电缆在测量信号时为栅极驱动器输出增加了另一个20+60 pF 负载。
在此设置中、测得的 LMG1020的上升时间为1.20ns、因此速度降低了约3.2倍、但它也驱动的容性负载是数据表中规定的上升时间的3.3倍。
数据表中未提供"上升时间与负载间的关系"、因此我想知道这两个值之间是否存在一些线性相关性？ 您能否为此驱动器提供一张"上升时间与负载间的关系"图？ 我测得的上升时间是否合理？
我 指的是 此论坛中已经提出的一个问题、有人遇到了 EPC2001C GaN FET 的类似问题、与我的 GaN FET 相比、它的输入电容要高得多、并试图实现小于1ns 的上升时间。 该主题似乎是解决了,但已找到一个解决方案在私人和没有公布。
我期待您的回答！
卢卡斯
