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[参考译文] BQ25730:4个 MOSFET 的开关操作

Guru**** 2390755 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25730, BQ24800, BQ25730EVM

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1367759/bq25730-switching-action-of-4-mosfets

器件型号:BQ25730
主题中讨论的其他器件: BQ24800

工具与软件:

尊敬的先生、我们一直在项目中使用 BQ25730 IC、但我们观察到 MOSFET 的开关操作存在差异、其中包括

1) 1) HiDrv1在升压模式下开关、而它应该用作 ON 开关

2) HiDrv2以降压模式进行开关、该模式应用作 ON 开关

3)此外、Lodrv1和 Lodrv2两个信号都在降压和升压模式(无负载/轻负载)下进行切换、其中只有两个信号应该作为开路开关、另一个在两个模式下作为切换、但输出电压与充电电压寄存器中的配置电压相同。

4)在升压模式下,我们面临 I2C 通信问题。(通过通信接收的数据是垃圾/错误数据)

请通过随附的测试报告让我们了解相应的解决方案。

e2e.ti.com/.../BQ25730-testing.pdf

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    这是正常的。 BQ25730降压/升压充电控制器在启动和轻负载条件下使用全部四个开关。 如果移除两个升压桥臂 MOSFET、BQ25730将无法正常启动。 BQ24800是一款具有混合功率升压功能的降压充电器、可用于仅降压充电器应用。

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    感谢您的澄清、先生、

    您能否还澄清以下过程中的 I2C 通信问题(接收到垃圾/无效数据): 升压模式 大约3.5安培的负载运行。

    在正常运行期间、还在输出电压处发现约1.6伏的 降压模式 导致输出电压纹波的可能原因是什么。

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    您好、Rajendar:

    它看起来像是噪声干扰问题。 这可能与布局或测量有关。 建议您订购 BQ25730EVM、并在开始新项目时遵循用户指南。  

    www.ti.com/.../BQ25730EVM

    此致、

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    尊敬的先生:

    感谢您的回复、我们已按照 BQ25730 EVM 中提供的指南设计了布局。

    附加了我们的布局供您参考、请告知我们布局中的任何错误、并帮助我们解决此问题。

    此文件可在以下位置打开:  Cadstar 设计查看器 软件

    e2e.ti.com/.../MMVBQCH2_2D00_01.pcb

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    抱歉、我们无法安装此软件并查看此文件。  

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    尊敬的先生:

    我们已将 Cadstar 文件导出为 Altium 文件格式、您可以在 Altium 软件。

    请访问布局并帮助我们解决任何问题。

    e2e.ti.com/.../MMVBQCH2_2D00_01.PcbDoc

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    您好、先生、

    1.在电源板设计中不要使用散热过孔。 建议了与电流传导过孔的牢固连接。  

    2.将一半陶瓷电容器重新放置在顶部。 陶瓷电容器具有较低的 ESR。  

    3.将第2层用作实心接地层。 该平面上没有信号布线。  

    此致、

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    您好!

    感谢您的建议、我们将更改设计并测试性能、并让您了解结果。