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[参考译文] BQ25792:VSYS 在几秒后下降至低电平

Guru**** 2782445 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1369492/bq25792-vsys-falling-low-after-a-few-seconds

器件型号:BQ25792

工具与软件:

您好、我使用的是 BQ25792、我有某种程度上损坏了这个 IC、但我不确定是什么原因导致的、因为我尚未注意到一个模式。  

一旦 IC 损坏、我可以在示波器上看到、输出(VSYS)在大约10秒内正常运行、然而、在一个小负载(100mA)下、在这一点后的几秒钟内、从其可编程的调节输出电压(~7.4V)缓慢下降、直到达到大约3V、纹波然后完全消失、并且没有更多输出。   

之后、如果我关闭 VBAT 等待几秒钟再重新开启、会立即再次出现上述情况。 如果我等待几分钟,那么它将再次正常运行10秒,然后死亡。 现在发生在3 IC 上...  

我在前一个工程中使用了此 IC、从来没有遇到过此问题、并且展示了相同的原理图、因此我只能假设我的测试方法或上游的东西损坏了它。 因为它适用于一整天的测试、直到我必须做一些事情并将其打破。  

我能想象的唯一一件事是、在测试时(VBUS 或 VBAT 上无输入)、我正在 VOUT 轨上提供上游电压  、该电压会流入 IC 并损坏它(如下面原理图中的箭头所示)。 这是否会导致损坏、我是否应该在 VSYS 上使用一个二极管来防止这种情况?

这是我的原理图:



这是基准 CH2 (即 VSYS)的特写图、一旦10秒后施加负载、它就会降至此值

这是 CH2、首先从 VSYS 输出7.4V、负载为150mA 几秒钟、然后它下降并崩溃、然后当负载释放时、它会反弹回到稳定的7.4V 输出。 更换 IC 后、不再出现此问题、因此我知道不是负载。


提前感谢您的任何帮助!

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    您好、Michael:

    充电器不适合在正向/充电模式下向 SYS 施加外部电压。 我没有关于 IC 是否会损坏的数据。  在发生故障之前、您是否有来自 I2C 寄存器的数据转储?  我建议添加一个二极管。

    此致、

    Jeff

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    我添加了二极管、这并没有解决任何问题。 我发现仅采用纯 VBAT 输入时芯片性能不佳、未进行任何其他连接(除了输出端具有很小的负载)、因此我的测试结果不是损坏了芯片。

    我没有数据转储、但我得出结论、这肯定与 PCB 布局有关。 我之前在以前的 PCB 设计中使用过此 IC、但从来没有任何问题、并且我准确地遵循了 PCB 布局建议。 通过将旧 PCB 上的 VSYS 跳转到新 PCB 上的 VSYS (输出)、一切都会正常运行、BMIC 也不会消失。

    我还得出结论、从新的 PCB 设计中移除 BMIC、并在旧设计中按预期使用它们、实际上并没有损坏或损坏。

    原理图与不同设计的原理图完全相同、因此我只能将其放到 PCB 布局中。  

    两种 PCB 设计之间唯一值得怀疑的差异是新 PCB 设计中具有电感器的开关电容器。 为了简化组装、我们尝试将两个电容器放置在 PCB 的顶部(下图中的 C10和 C9)。 但是、如果这不起作用、我们也像建议的布局所示、将两个电容器留在 PCB 的底部。 我们已经尝试在顶部或底部填充该填充、但两种方法都不起作用。 不会同时填充四个。 (在原始设计中、我们只将它们放在底部)


    下面随附了旧 PCB 布局和新 PCB 布局的图片

    新 PCB (未正常运行)



    原始 PCB (功能)

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    实际上、另一个原因可能是因为在 PMIC 的 BAT 引脚和电池的正极端子之间有一个 P 沟道 MOSFET。 我们添加了这个功能、因此我们可以连接不同的 BMIC (VFAST)、从而以比此 IC 所提供的更快的速率为电池充电。 想法是、当 VFAST 上存在电压时、它会断开电池与 BQ25792。

    尽管在测试 VFAST 时不存在、但可能是 P 沟道导致 BMIC 读取电池的方式出现问题...

      

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    我可以确认绕过此 MOSFET、那么 BMIC 现在会按预期工作。 如果可能、最好了解为什么 PMIC 不喜欢 BAT 引脚和电池正极之间的 MOSFET。 电容是多少? 等效电阻?

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    您好、Michael:

    充电器调节 BATP 引脚(而非 BAT)的电压。  我建议使用背对背 FET、以便没有电流路径通过体二极管。

    此致、

    Jeff

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    很抱歉、我也将其连接至 BATP (如下所示)。 感谢您的建议、我会按照建议尝试背靠背 FET、如果它起作用、我会点击"Resoluted"! 再次感谢您的支持