[参考译文] LM74810EVM：热插拔浪涌电流

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1375750/lm74810evm-hot-plug-inrush-current

器件型号：LM74810EVM

工具与软件：

大家好、我们将 LM74810MDRRR 用作热插拔/理想二极管控制器。我们将遇到以下问题：

当 EN/UVLO 被拉至低电平(禁用)时、我们会在热插拔50V 电源时看到很大的电流。
2.我们在所有接触输入轨的电容器上都有串联电阻、但我们看到 IC 在插入后会损坏。似乎有一条通过 C/A 引脚连接到 C67的电荷泵电容器的电流路径。请参阅随附的图像

当我们在评估板上看到这个时、我们也会看到热插拔器件时的电流高得多。电流约为3-4A、将电容器的串联电阻更改为100 Ω。
我们需要考虑 IC 是否有内部电容？
是否有办法限制这种浪涌？
我们是否可以在不影响理想二极管运行的情况下向 A/C 迹线添加串联电阻器(例如添加100 Ω)？

谢谢！

Peter Davis

1 年多前

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2387830 points

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我还将补充一点、我已确认输出侧(V_SYSTEM)没有电压、因此仅由于 IC 和输入侧而出现浪涌。

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2387830 points

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尊敬的 Peter：

IC 内部真的没有任何电流路径能够做到这一点。正如您提到的、IC 会损坏、之后可能会发生任何事情。

在热插拔50V 时、是否有可能违反绝对最大值？是否有超过70V 的尖峰？

不建议在 A 和 C 路径中添加串联电阻器。

您可以迭代移除连接到输入轨的电容器、查看哪个电容器导致了浪涌。

此致、

Shiven Dhir

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2387830 points

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尊敬的 Shiven：

我们不会超出绝对最大电压。
理解、不建议使用串联电阻
我们已隔离所有输入电容器、并且仍然能看到很大的浪涌电流。我还使用 TI 的 SPICE 模型对此进行了仿真、并看到了明显的浪涌、但结果略有不同。

当 LM74810的输入电压小于25V 时、我看到电容器出现预期的浪涌、但是、当我将电压增加到25V 以上、尤其是在50V 时、我开始看到 MOSFET 的输出端出现电压、该电压会产生大约60A 的浪涌。您能否确认您的仿真中是否看到这种行为？模型是否存在问题、或者这是否真实存在？

在模拟图中：
蓝色=输入电压
红色=输入电流
绿色=阻断 FET U2的 Vgs |展示 FET 保持关断、但 FET 的源极和栅极上存在~20V