[参考译文] LMG1210：关于外部 SBD

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：LMG1210

工具与软件：

尊敬的 TI 团队

我们正在考虑使用 LMG1210来驱动 GaNFET。

已在栅极驱动器输出和 GaNFET 的栅极引脚之间插入一个栅极电阻器、以减少由寄生电感引起的过冲/下冲。

此外、为了提高关断速度、已经在与栅极电阻器并联了一个 SBD。

数据表指出 LMG1210的最大峰值灌电流为4.3A。

为了充分利用这种性能、我认为 SBD 应具有4.3A 或更高的 IFSM (峰值浪涌正向电流)。

这种理解是否正确？

此致、

Taroimo

0 admin 1 年多前

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尊敬的 Taroimo：

感谢您联系 TI。

我们在此处建议二极管电压等于或大于 FET。通常、半桥的双刀通常额定电流介于1-2A 之间、且浪涌额定值远高于该值。二极管在电容器放电和充电期间可以看到峰值浪涌、因此我们建议使用浪涌额定值高于半桥峰值电流的二极管。

此致！

耶利米

0 admin 1 年多前

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耶利米你好、

很抱歉、我无法很好地表达我的顾虑、所以我会改变我的问题。

LMG1210评估板的栅极驱动器输出和 GaNFET 栅极引脚之间插入了0 Ω

因此没有栅极电阻器、因此我理解导通/关断时的瞬态电流将非常大。

LMG1210的电气特性位于以下列表 IOL/IOH、

但这是否意味着下表中的值可以由栅极驱动器内部的电阻保留而无需外部电阻？

或者、我在设计它时是否应该能够通过插入适当的栅极电阻器值将其保持在表中的最小值以下？

此致、

Taroimo

0 admin 1 年多前

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尊敬的 Taroimo：

这是正确的、栅极驱动器内部将保留您提供的表中的值(假设在建议条件下运行)。

仍然建议使用0欧姆的栅极电阻器、因为它会限制电流、进而限制过冲或下冲。

谢谢！

耶利米

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