This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] LM5122:电源管理-内部论坛

Guru**** 2524460 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1377807/lm5122-power-management---internal-forum

器件型号:LM5122

工具与软件:

大家好、团队成员:

目前、客户正在进行 EMC 测试。 遗憾的是、测试结果不足以满足要求。 因此、他们正在尝试解决该问题。

客户测量了一些波形、确实是  不会  "干净"。 您可以看一下吗?

我们可以看到:

 

  1. 关于 Vgs 信号、存在过冲和下冲。 我认为它会受到噪声的影响、因为负载关闭时测得的波形干净且正确。
  2. 对于 VDS 信号、也有正负尖峰。
  3. Vgs 和 VDS 都是连续的、稳定频率为264kHz、因此可以触发它们。
  4. 在大约47MHz 处有一个超过52dBμV μ V 的峰值。 根据测试、我们知道它来自升压转换器。

 

为了解决 EMC 问题、我想在重新设计 PCB 布局之前修改电路设计并进行一些测试。

  1. 请参阅此电子邮件所附的原理图。 这是当前设计。
  2. 请注意、电感器已更改为1 0μH  由6.8μH 提供。 开关频率已降至  264kHz  从350kHz 开始。
  3. 增加 Rg。 我已将 Rg 从5R1增加到10R0。 这有助于将峰值减少  5dBμV μ A . 我正在考虑将其增加到33R 或100R。 看起来 Vgs 的上升沿仍然非常尖锐。
  4. 降低 RGS。 我已经在每个 MOSFET 的栅极和源极之间添加了一个电阻器。 值为21k。 我本来希望消除 VDS 的负尖峰和 Vgs 的下冲、但到目前为止尚未起作用。 我正在考虑将 RGS 减少到10k。
  5. 在尽可能靠近每个 MOSFET 的位置添加一个100pF (或 pF 电平)的陶瓷电容器。
  6. 调整缓冲电路的电阻和电容。 电容将从470nF 降至470pF、最高22nF。

我可以提出你的建议吗? 我可以更改什么以减少 EMC 峰值吗?

此致、

欧内斯特