工具与软件:
您好!
基于 LM5176EVM-HP 原理图设计 LM5176 12V 降压5V。
但我们发现死区时间为 45ns、可能导致 MOSFET 关断或烧毁的风险。
如何调整死区时间?
此致
Hins Weng
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工具与软件:
您好!
基于 LM5176EVM-HP 原理图设计 LM5176 12V 降压5V。
但我们发现死区时间为 45ns、可能导致 MOSFET 关断或烧毁的风险。
如何调整死区时间?
此致
Hins Weng
尊敬的 Hins:
第一幅图显示了高侧降压 MOSFET 的栅极信号的极慢斜率。
从纯粹的数学计算中、这将得出 MOSFET 的栅极电荷为22uC、这是不可能的。
您是否添加了栅极电阻器?
可以在示波器图中看到、死区时间约为45ns、但驱动器未在合理时间内将栅极置于低电平
此外、SW1上在断电之前的峰值看起来也有点奇怪、并且不确定它的来源-可能是 SW2、但不确定
您还可以告诉我什么通道显示了第二个图中的内容吗-颜色与第一个图不同、所以不能确定映射在这里是怎样的。
此致、
Stefan
您好、Stefan、
您是说原始波形是正常的吗?
我的意思是、在 HDRV1达到其最低电平之前、LDRV1已上升、交叉点位于1.7V 至2.4V 之间。 此时、高 侧与低侧 MOSFET 同时导通、这很容易导致 MOS 烧断。
因此、我希望延迟 LDRV1的上升时间、直到 HDRV1完全降低至最小值。 要添加一个反向并联二极管的栅极电阻器、屏幕截图是否正确?
此致
Hins Weng