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[参考译文] LM5176:LM5176死区时间问题

Guru**** 2390340 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5176EVM-HP, LM5176
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1378912/lm5176-lm5176-dead-time-issue

器件型号:LM5176

工具与软件:

您好!

基于 LM5176EVM-HP 原理图设计 LM5176 12V 降压5V。

但我们发现死区时间为 45ns、可能导致 MOSFET 关断或烧毁的风险。

如何调整死区时间?  

此致

Hins Weng

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    尊敬的 Hins:

    第一幅图显示了高侧降压 MOSFET 的栅极信号的极慢斜率。

    从纯粹的数学计算中、这将得出 MOSFET 的栅极电荷为22uC、这是不可能的。

    您是否添加了栅极电阻器?

    可以在示波器图中看到、死区时间约为45ns、但驱动器未在合理时间内将栅极置于低电平

    此外、SW1上在断电之前的峰值看起来也有点奇怪、并且不确定它的来源-可能是 SW2、但不确定

    您还可以告诉我什么通道显示了第二个图中的内容吗-颜色与第一个图不同、所以不能确定映射在这里是怎样的。

    此致、

     Stefan

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    您好、Stefan、

    否、不必添加任何栅极电阻器、值为0欧姆。   但我曾尝试在 LDRV1栅极上添加一个2.2欧姆电阻器、但未发生任何变化。  

    对于第二幅图-添加通道信息以供参考。

    SW1上的峰值似乎是从引导1开始、然后才会下降。  它是通过 SW2进行检查的、看起来非常稳定。

    此外、HDRV1呈下降趋势、但 LDRV1开始上升。  

    此致

    Hins Weng

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    尊敬的 Hins:

    我在内部进行了检查、这里的波形是预期的波形。  

    死区时间是从 HDRV1下降开始到 LDRV1上升。

    您还可以看到、在低侧开始导通之前、高侧已达到关断电平。

    如果您想增加一些额外的死区时间、可以添加一个具有反向并联二极管的栅极电阻器。

    这会减慢开启速度并快速关断。

    此致、

     Stefan

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    您好、Stefan、

    您是说原始波形是正常的吗?  

    我的意思是、在 HDRV1达到其最低电平之前、LDRV1已上升、交叉点位于1.7V 至2.4V 之间。  此时、高 侧与低侧 MOSFET 同时导通、这很容易导致 MOS 烧断。  

    因此、我希望延迟 LDRV1的上升时间、直到 HDRV1完全降低至最小值。   要添加一个反向并联二极管的栅极电阻器、屏幕截图是否正确?  

    此致

    Hins Weng

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    尊敬的 Hins:

    在低侧栅极信号开始上升之前、高侧栅极信号已达到1.78V 的电平

    在这个级别、MOSFET 已经关闭:

    原理图是正确的、但仅需提及、还需要添加到第二个 MOSFET 上

    此致、

     Stefan