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[参考译文] LM5146：LM5146 MOSFET 选择和功率损耗

admin
Guru**** 2387830 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5146
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1379005/lm5146-lm5146-mosfet-selection-and-power-loss

器件型号：LM5146

工具与软件：

尊敬的 TI 专家：

LM5146能否与 VG (th)低至最小1.1V、但可提供极好 Qoss 和 Qrr 的逻辑电平 MOSFET 配合使用？ 例如 Infineon MOSFET BSC070N10LS5。 该 FET 与 LM5146在设计中有何注意事项？

在 LM5146快速入门工具中、为什么底部 FET Coss 和 Qoss 损耗计入顶部 FET？

谢谢

新生儿

  • 0
    TI__Guru**** 2387830 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好、Neo  

    可以将 BSC070N10LS5与 LM5146一起使用。 如果栅极阈值太小、可能会由噪声耦合意外打开 MOSFET。   

    COSS、QOSS 在高侧开关导通/关断转换期间充电/放电。 这就是原因。 假设低侧体二极管的正向压降 可以忽略不计、则低侧 MOSFET 可进行 ZVT 开关。   

    - EL   

  • 0
    TI__Guru**** 2387830 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 EL：

    是否有消除逻辑电平 MOSFET 意外导通风险的良好做法？

    在我们的原理图中、MOSFET 栅极和源极之间有一个100k Ω 电阻器、这是否可以将栅极保持在低电平并且不会意外开通？

    谢谢

    新生儿

  • 0
    TI__Guru**** 2387830 points
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    你好、Neo  

    安装100kOhm 下拉栅极电阻器是一个好主意、这有助于 防止在器件未通电时意外导通。  

    当器件通电且稳压器正在开关时、如果 使用栅极电阻器、填充 PNP 晶体管有助于防止 SW 节点 dV/dT 意外导通。

    如果 LO 布线直接连接到 MOSFET、则从 LO 到 MOSFET 的连接必须尽可能短、以减少串联寄生电感

    我离开办公室后、我将无法再回复此 E2E 帖子。
    如果您仍在尝试解决此问题、请勿回复此帖子、而是创建一个新帖子、以便快速从其他工程师处获得帮助。
    - EL

    - EL  

  • 0
    TI__Guru**** 2387830 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    明白了。 谢谢。