This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1380670/ucc28180evm-573-ucc28180-rc-snubber
工具与软件：
您好！
我想问一下 Ucc28180是否不需要如正常运行和没有电压尖峰时的评估中所示的缓冲电路？
此致、
明亮
尊敬的 Bright：
UCC28180EVM-573电路板上没有 RC 缓冲器。
任何拓扑中都不需要缓冲器、但最好使用缓冲器来减少或抑制 电感中的电流突然停止或变化时出现的电压尖峰。 在 UCC28180 EVM 中、发现不需要缓冲器。
此致、 Ulrich
Ulrich、您好！
感谢您的答复。
您是否有任何适当的方法来计算/确定 RC 缓冲器值？ 尤其是对于 Ucc21550等半桥配置？
尊敬的 Bright、
这是一篇有关 R-C 缓冲器设计的文章。 https://www.ti.com/lit/pdf/ssztbc7?keyMatch=rc%20snubber 如果您搜索 TI.com 或互联网、我相信您还能找到更多。
在步骤2中、MOSFET 全反向电压下的典型电容(例如器件型号 sihp24n80ae)是什么电容？
或别的什么东西吗？
通常、MOSFET 在漏极和源极之间应用 R-C 缓冲器、因此会使用 MOSFET 的漏源极电容进行计算。 该电容即 Coss。
1) 1)电容器和电阻器的额定电压应该是多少？
2) 2)计算电阻器功率耗散的理想方法是什么？
E=1/2 x CV^2
P = E x Fs、其中 Fs 是开关频率？
明亮
您的方程式正确。
有关设计详细信息、请参阅有关缓冲器设计的此白皮书： /cfs-file/__key/communityserver-discussions-components-files/196/slup100.pdf
虽然电阻器和电容器的相对布置不会改变 RC 缓冲器的基本运行、但它们在电路中相对于开关和彼此的放置会影响响应时间性能。
但是、哪一个应该首先从 MOSFET 的漏极(电容器、电阻器或电容器)上穿过、这是否重要？
我看到过两种方式连接的设计、因此我想知道哪种方式是有效的。
MOSFET 漏极到源极之间电阻器和电容器的顺序无关紧要。 对于 MOSFET 根本无关紧要。 缓冲器性能将完全相同。
有些设计人员根本不考虑这一点。 有些人可能会发现、放置顺序由封装轮廓更适合其 PCB 布局的方式决定。 如果源极为 GND、有些人可能希望电容器位于源极、以便可以轻松探测电容器上的振铃电压。 如果源极接地、有些人可能希望电阻器连接到源极、以便他们可以轻松探测电阻器上的振铃电压并计算电流。 如果 MOSFET (或二极管)不是 GND_Referenced、那么以差分方式探测任一组件也很麻烦。
感谢您的讲解。
我知道 缓冲电阻器的额定电压至少应等于运行期间其上的预期最大电压、该电压通常小于完整的直流链路电压、除非该电阻器直接桥接链路的高电势和低电势侧。 在本例中、如果直流链路为400V DC、我可以使用额定电压高达300V - 400VDC 的 R_snubber？
MOSFET (或二极管) 导通一段时间后、缓冲电容器 可能会完全放电、因此在 关断时、电阻器两端的最大电压可以是整个直流链路电压400V、甚至更高、而尖峰电流在缓冲操作期间流动。 我建议您将电阻器的额定值设置为500或600V。 如果无法找到单个电阻器来维持这种状态、则应串联2个或3个等值电阻器来分担峰值电压负载。 这是一种广泛使用的做法。 这与电容器额定电压相同。 它的额定电压需要高于(具有足够的裕量)可能在其上出现的最高峰值电压(通常高于直流链路)。
