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[参考译文] LM5060-Q1:对 LM5060、TPS4811或 TPS2492使用单独的 Vin 作为驱动器和 MOSFET

Guru**** 2382660 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD19536KTT, LM5117, LM5060, TPS2493
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1378047/lm5060-q1-using-separate-vin-for-driver-and-mosfet-for-lm5060-or-tps4811-or-tps2492

器件型号:LM5060-Q1
Thread 中讨论的其他器件:LM5117LM5060TPS2493、CSD、CSD19536KTT

工具与软件:

您好!

我需要在使用 LM5117实现的可变电源的输出中添加一个高电平开关。
为了驱动串联 N-MOSFET、我们可以使用电子保险丝驱动器或高侧驱动器、如 LM5060或66、TPS2493、TPS4811等
不需要任何保护、但可以在我们最终确定的驱动程序中使用(如果可用)。 不需要反向流量。 (随附原理图中为4811、但可以使用任何其他类型)

开关的输出需要在0.5 - 50Vdc 的范围内、较早阶段的输入为55V。
由于驱动器无法在此电压下运行、可以通过开关的 Vin (55V)为其供电吗?

1. LM5060或 TPS4811的 Vin 将是55V、但 MOSFET 漏极电压将是0.5到50V。 这是否会起作用或引起任何问题?
2.串联电流最大为20A @ 50V。 由于 MOSFET 开关速度不快、我们可以使用 CSD195xx 系列中的 SMD MOSFET 吗、
    例如、在 TO-263中为80V、100A、或者是根据功耗要求建议的 TO-220器件。
3. QD 的推荐评级是什么?

谢谢。此致、
Tanmay Sutaria。

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    您好、 Tanmay、

    TPS4811具有良好的栅极驱动、并且可以驱动大栅极电容/电荷。

    MOSFET 的 VIN 和漏极对于所有高侧驱动器必须尽可能处于相同的电势、因为内部电荷泵以 VIN 为基准进行驱动。

    使用55VIN 的5V 稳压器并进行二极管 ORing、如下所示。

    BR、

    Rakesh

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    您好、Rakesh。

    感谢您的回复。
    根据您的建议、最坏的情况是4811 Vin=4.4V 且 VDRAIN = 0.5V。
    在这种情况下、MOSFET 应打开/导通、但需要任何额外的保护?

    另外、QD 的推荐器件是什么?

    对于 MOSFET 查询(以下重复),请向相关的域名工程师咨询或咨询。
    2.串联电流最大为20A @ 50V。 由于 MOSFET 的开关速度不快、因此我们可以使用 CSD195xx 系列中的 SMD MOSFET (例如 TO-263中的80V、100A)、还是根据功耗要求建议使用的 TO-220器件。

    BR、
    Tanmay.

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    您好、Tanmay、

    当 VDRAIN = 0.5V 时、源极将接近0.5V。 在 Vin = 4.4V 时、栅极将为12V+4.4V = 16.4V  

    因此、您可以使用 CSD 系列的 SMD MOSFET、例如  CSD19536KTT 、它具有20V Vgs 额定值并采用 D2PAK (TO-263)封装。

    BR、

    Rakesh

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    您好、Rakesh。

    感谢您的确认。 将进行汇编、测试和恢复、以防出现任何查询。

    BR、
    Tanmay.