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[参考译文] TPS51386:去耦电容器缺失放置

Guru**** 2551110 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS51386

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1385753/tps51386-decoupling-capacitors-miss-placement

器件型号:TPS51386

工具与软件:

我错过了放置去耦电容器16MM Dar 从 Vin 2 10uf 和一0.1uf ,我知道电路将 amllfunction ,但它仍然可以作为第一个原型测试?  

 TPS51386是否可以容忍新设计和偏执错误?  

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    尊敬的 Firas:

    您是否以相反的顺序放置它们?  通常、我们将0.1uF 电容器放置在靠近芯片侧的位置。  错误的放置不会直接影响电路运行、但会对输入电压易受振荡影响的测试项目产生一些影响。  您能否将0.1uF 电容器放置在靠近芯片 VIN 的位置?

    期待您的回复。 谢谢。

    奥罗拉

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    谢谢 Aurora、  

    我有0.1uf 在第一个封闭的 VIN 后,两个10uf,我会附加一些图片,是的,我可能可以把0.1uf 电容器更接近 VIN ,但我不想跑的 PCB ,如果它仍然要工作,我只需要大约3安培从电路那么?  

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    我知道我的电路还不够好、但我喜欢这项工作、因为我已经确认了原型生产、所以使用 TI 电路仿真器时所有值和组合都很好  

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    您好、

    实际上、 以下是我们的建议布局、C6为0.1uF 电容器。  这个布局看起来与您当前的布局非常不同。

    如果芯片当前正常工作、可以使用电路的第一个版本进行评估。 在进行下一版本时、请参考我们的布局以进行改进。 谢谢。

    奥罗拉