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[参考译文] TPS51116:FET 选择指南

Guru**** 2387830 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS51116
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1387472/tps51116-fet-selection-guidance

器件型号:TPS51116

工具与软件:

您好、团队-您能在以下方面提供帮助吗? TI 是否提供兼容的 FET?

谢谢!

Alex

"我们正在进行另一轮重新调整以解决淘汰问题、我们注意到、与 TI TPS51116降压控制器配合使用的外部 MOSFET 之一已变为 NRND。  根据 TPS51116数据表和评估板原理图中的建议、我们将 IRF7821TRPBF 用作高侧 MOSFET 并将 IRF7832用作低侧开关。 当 IRF7832仍处于激活状态时、IRF7821TRPBF 已变为 NRND。  在 TPS51116数据表中、我看到一些关于选择低侧 MOSFET 的建议、但没有关于如何选择高侧 MOSFET 的信息。  我们初步搜索了 IRF7821TRPBF 的替代产品、发现 Vishay SI4162DY-T1-GE3具有比 IRF7821TRPBF 更好或相同的性能(Rdson、Idmax、栅极电荷和 Pd)。   我们想知道 TI 的人员是否可以帮助并检查将 SI4162DY-T1-GE3用作 TPS51116的高侧开关是否存在任何问题、以及是否存在任何外部无源器件需要更改才能将 SI4162DY-T1-GE3与 TPS51116配合使用。"

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Alex、

    只要您选择的 FET 具有类似的输入电容、栅极电荷规格和 Rdson、我认为它应该没有问题。 FET 过大可能会改变开关时序或增加开关损耗。 我要确认您用作替代产品的 FET 的功率耗散能力接近于或大于原始组件。

    。  IRF8714TRPBF 似乎具有与  IRF7821TRPBF 非常相似的规格。

    此致、

    James