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[参考译文] LMG5200:使用 TI GaN 替换 Si-FET 时的设计注意事项

Guru**** 2387830 points
Other Parts Discussed in Thread: LMG5200
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1390014/lmg5200-design-considerations-when-replacing-si-fets-with-ti-gan

器件型号:LMG5200

工具与软件:

您好!

我对 TI 的 GaN FET 感兴趣。

您能否分享一下使用 TI GaN 替换 Si-FET 时有关设计注意事项和相关文档的信息?

欢迎提供研讨会材料。

谢谢!

Conor

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Conor、

    请帮助分享有关您申请的更多详细信息、以便为您提供最佳信息。

    您是否对 TI GaN 器件相对于 Si 的优势感兴趣、或者对如何在设计中物理实施这项更改感兴趣?

    是否有您感兴趣的特定器件? 我看到您在您的问题中列出了 LMG5200、我想检查您是否正在寻找特定器件。 我们提供各种封装的高电压和低电压 GaN、它们具有许多特性、您对某个特定的群体更感兴趣吗?

    您是否关注的是特定的终端设备? 有多种规格各不相同、可以针对特定的终端设备进行定制。

    请帮助填写尽可能多的这些细节,谢谢!

    Zach