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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1392864/ucc27614-in--in-not-referenced-for-gnd
工具与软件：
您好！ 我有兴趣对 SiC MOSFET 使用带负 GD 的 UCC27614。 我是否需要将 IN-和 IN+以 UCC27614 GND 为基准、或者是否可以将这些 GND 偏移+5V？
尊敬的 Jimmy：
输入信号将需要使用与栅极驱动器 GND 相同的基准。 否则、输出将卡在高电平。
请参阅此常见问题解答以了解如何对输入信号进行电平转换以利用 UCC27614的双极驱动： https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1083720/faq-ucc27614-how-to-drive-a-UCC27614：sic - FET -或-具有 A 负偏置-使用 A 低侧栅极驱动器-双极驱动
另外、我们还拥有 UCC57108、它无需外部电路即可实现双极驱动。
谢谢！ Rubas
尊敬的 Rubas： 我查看了 UCC57108、但它似乎与 UCC27614具有相同的措辞。 您是否想提供更多信息、说明为什么 UCC2730II 的 IN+和 IN-无法接受不同的接地基准？ 这是我所指的位： "输入与电源电压无关、可以连接大多数控制器输出端、从而最大限度地提高控制灵活性"
您指的位表示输入信号电压无需跟随 VDD 电压。 一些栅极驱动器要求输入电压处于 VDD 的电压范围内、但 UCC27614并非如此。
为了说明不同 GND 基准的概念、我们首先说明一下栅极驱动器具有一个 GND 引脚、该引脚作为整个驱动器的基准点。 考虑到这一点、让我们从设置 GND = 0V 的典型应用开始、并使用 VDD 作为一个简单的示例。 在数据表中、 UCC27614的绝对最大 VDD 额定值为30V。 如果我们设置 VDD = 40V、则 VDD 的绝对最大额定值被断开。 但是、如果我们设置 GND = 10V、则 VDD 和 GND 之间的电势差现在为30V、不会超过 VDD 的绝对最大额定值。 此概念也适用于在 GND 上使用负偏置时、例如设置 GND =-10V 只允许最大 VDD = 20V 保持在30V 绝对最大 VDD 额定值范围内。
将此概念应用于输入信号、如果我们保持栅极驱动器 GND =-10V 并使用0-5V 的典型输入信号(0V 是输入信号的"GND"基准)、栅极驱动器将把0-5V 信号作为其自己的-10V GND。 这意味着、在 GND = 0V 的栅极驱动器中、0-5V 信号相当于10-15V、并会导致输出一直处于高电平。 我在之前的回复中发送的常见问题解答显示了如何使用外部电路来避免这种情况、并从本质上 使0-5V 信号转换为-10至5 V 信号以使栅极驱动器正常运行。
UCC57108/UCC57102有自己的独立 VEE 引脚(也以栅极驱动器 GND 为基准)、允许负偏置 、而无需外部电路、如常见问题解答所示。 例如、您可以设置 VEE =-10V 和 VDD = 30V、但保持 GND = 0V 和 IN = 0-5V。 由于 GND = 0V、因此 VDD 电势差仍为30V 而不是40V、如 UCC27614示例中所示。 这会产生-10至30V 的输出信号、无需外部电路即可将0-5V 输入信号修改为-10至5V。
如果这有助于或者您需要更多说明、请告诉我。
