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[参考译文] LM5143:二极管仿真模式的工作机制

Guru**** 2386610 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5143, PMP31210, LM5137-Q1
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1390693/lm5143-working-mechanism-of-diode-emulation-mode

器件型号:LM5143
Thread 中讨论的其他器件: PMP31210LM5137-Q1

工具与软件:

你(们)好

在测试用户电路板时发现、客户发现在 DCM (DCEMB 被选中)轻载情况下、软件的波形显示了 LM5143的不稳定运行情况、为了了解出现该现象的原因、请多讲一讲二极管仿真模式的工作机制、例如在什么情况下会关断低侧 MOSFET 以实现二极管仿真、这样图表就可以帮助我理解。  

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    你(们)好

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    尊敬的 Ken:

    很抱歉耽误你的时间。  

    负责此器件的工程师外出、因此他们需要一些时间来响应。  

    谢谢!

    Richard

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    尊敬的 Ken:

    对于延迟、我们深表歉意。 通过检测 SW 电压来检测电感电流的过零。 考虑到延迟、增加了一个小的负偏移。 为了尽可能减少可能影响 IC 上 SW 电压检测的任何外来噪声拾取、请确保 HO 和 SW 迹线以差分方式路由回控制器-使这些迹线尽可能短且直。

    此致、

    TIM

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    Timothy

    负失调电压是否为-0.7mV? 0.7mv=Iinductor*Rdson (低侧 MOSFET)吗?

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    尊敬的 Ken:

    7mV 偏移将在电流实际过零之前跳闸——这是对比较器延迟时间的补偿。 是的、设置它的是电流乘以低侧 MOSFET Rdson。

    此致、

    TIM

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    Timothy

    在 PMP31210中、MOSFET 的 Rdson 为 5.7mohm@4.5V。 这意味着-0.7/5.7=1.22A。 当通过低侧 MOSFET 的电流<=1.22A 时、将触发低侧 MOSFET 关断(如果忽略比较器延迟时间)、是否正确? 我认为关断低侧 MOSFET 的触发电流过高、无法在空载条件下实现高效率。

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    尊敬的 Ken:

    负偏移用于管理比较器的延迟时间。 在实际实现中、它应该相当接近零。

    如果需要、发送原理图和完整的快速入门计算器以供审核。

    此致、

    TIM

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    我看到 PPMP21310是一个四相设计。 LM5143根据设计在单路输出模式(相对于双路输出)下运行时具有超高的轻负载效率、因为它在 DCM 下运行时、不会进入睡眠模式来获得超低的静态电流。

    我们拥有面向这类应用的新型控制器。 LM5137-Q1控制器应在第二天或第二天上线。 我将向您发送一条离线消息、以便我们可以连接。

    ——

    TIM

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    Timothy

    非常好。 我将与客户确认并稍后更新。

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    谢谢、Ken。