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[参考译文] LM5116:高侧 MOSFET 和低侧 MOSFET 间歇性烧毁

Guru**** 2390735 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5116, CSD19533Q5A
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1398181/lm5116-high-side-mosfet-and-low-side-mosfet-intermittently-burn-out

器件型号:LM5116
主题中讨论的其他器件: CSD19533Q5A

工具与软件:

LM5116用于设计电源电路以控制高强度 AWL (偏置警告灯)的闪烁。

设计理念:  

  -输入:40 ~ 52V

  -输出: 最大值= 40V/10A ,最小值= 25V/0.1A

LM5116原理图如下所示。

电路似乎工作正常。

但是、高侧同步 MOSFET 和低侧同步 MOSFET 在长时间老化后间歇性烧毁。

作为参考、下面显示了使用的 MOSFET。

*高侧 MOSFET : TI / CSD19533Q5A.

*低侧 MOSFET : Infineon / BSC070N10NS3 G