[参考译文] LM73100：存在重负载时启动失败

赖伟汉

当器件上的功率耗散较高时、器件将执行热关断以保护 FET。 我想在你们的负载有高电容时、浪涌电流会非常高、这会在启动期间触发 TSD。 如果您的电阻负载较高、连续电流可能会在启动期间触发 TSD。  

在浪涌电流较高的情况下、通过增加 dVdT 电容器来减慢启动、将减小浪涌电流并使启动正确进行。

在电阻负载消耗高电流的情况下、使启动速度更快将有助于正确启动。

我们提供的设计计算器可以帮助您计算负载的 dVdT 电容。  

设计计算器： SNOR027计算工具|德州仪器 TI.com

在此处回答任何后续问题、或单击已解决。  

此致、
Arush

对于浪涌、我测量了输入电流、发现没有任何异常。 从原有波形中可以看出、在器件跳闸之前、输入电流绝不会上升到1.5A 以上。 作为参考、我的输出电容为64 μ F、而 dVdT 引脚设置为100 Ω+ 10nF。

对于电阻负载导致的高电流消耗、一旦我能够成功启动器件、它将随电阻负载无限运行(测试长达3天)、因此我不知道如果它可以在稳态期间无限运行、会如何在启动期间导致热关断。

我曾说过、增大 dVdT 电容允许在高负载电容下启动、但在高电阻负载下启动会变得更差。 我猜的是 FET 在线性区域工作、因此在线性区域花费的时间越长、就越有可能变热、但这只是我的猜测。

同样、我将 dVdT 引脚设置为断开、并看到在重阻性负载下启动效果有所改善、但随后会在重负载电容下失败启动。

一件奇怪的事情是、我曾尝试在 dVdT 引脚上使用100pF 电容器来加速启动、但实际上、启动速度非常慢。 开关打开花了一分钟多的时间。 dVdT 引脚是否具有我可以放置的最小电容值？

您好！

通常、由于 Vout 尚未达到 Vin、因此在启动期间功耗较高。 在稳态期间、Vout 几乎接近 Vin、除非发生任何外部事件、因此器件的功率耗散较小。  

[报价 userid="605388" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1397088/lm73100-startup-fails-when-heavy-load-is-present/5350229 #5350229"]同样、我将 dVdT 引脚设置为开路、发现重阻性负载下的启动情况有所好转、但重负载电容下的启动失败。

是的、这是预期行为。 dVdT 电容器开路会最快地启动。  

Unknown 说：

我曾经尝试过、增大 dVdT 电容后、可以高负载电容启动、但重阻负载下的启动情况会变差。

这也是预期行为。

您能否分享您的运行条件和负载详细信息？ 我可以检查是否建议一些 dVdT 值。 或者、您也可以使用上面分享的设计计算器检查此结果。

此致、
Arush